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Vishay / Siliconix Si3493DDV 20-V-p-Kanal-TrenchFET®-MOSFET der Gen. III

Der Vishay/Siliconix Si3493DDV 20-V-p-Kanal-TrenchFET®-MOSFET der Gen. III bietet einen niedrigen Einschaltwiderstand von 0,05 Ω (max.) bei -1,8 VGS. Der Si3493DDV MOSFET wird mit einer Betriebstemperatur von -55 °C bis 150 °C betrieben. Dieser Leistungs-MOSFET ist als Einzel-Konfiguration in einer TSOP-6-Gehäusegröße verfügbar. Der Si3493DDV MOSFET bietet einen Einschaltwiderstand für eine große Auswahl von Applikationen. Zu den Applikationen gehören Lastschalter, Batterieschalter und Batteriemanagement in mobilen Geräten.

Merkmale

  • p-Kanal-TrenchFET®-Leistungs-MOSFET der Gen. III
  • RDS(on) bei -1,8 V VGS
  • 100 % Rg- und UIS-getestet

Applikationen

  • Batteriemanagement in mobilen Geräten
  • Batterieschalter
  • Lastschalter
  • PA-Schalter

Technische Daten

Vishay / Siliconix Si3493DDV 20-V-p-Kanal-TrenchFET®-MOSFET der Gen. III

Si3493DDV Schaltplan

Vishay / Siliconix Si3493DDV 20-V-p-Kanal-TrenchFET®-MOSFET der Gen. III

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Veröffentlichungsdatum: 2017-06-09 | Aktualisiert: 2022-06-30