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SI3493DDV-T1-GE3

Name: Vishay SI3493DDV-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SI3493DDV-T1-GE3
Price: 0.43 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SI3493DDV-T1-GE3

Herst.- Nr.:

SI3493DDV-T1-GE3

Herst.:

Vishay / Siliconix

Beschreibung:

MOSFETs -20V Vds 8V Vgs TSOP-6

Datenblatt:

SI3493DDV-T1-GE3 Datenblatt

ECAD Model:

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Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 0.437	CHF 0.44
	CHF 0.264	CHF 2.64
	CHF 0.167	CHF 16.70
	CHF 0.126	CHF 63.00
	CHF 0.113	CHF 113.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 0.099	CHF 297.00
	CHF 0.089	CHF 534.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TSOP-6
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	20 V
Id - Drain-Gleichstrom:	8 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	20 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1 V
Qg - Gate-Ladung:	52.2 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	3.6 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay / Siliconix
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	40 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	30 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	20 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	115 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	8 ns
Gewicht pro Stück:	20 mg

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Datenblatt

SI3493DDV-T1-GE3 Datenblatt

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Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

TrenchFET® Gen III p-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Die TrenchFET^® Gen III p-Kanal-Leistungs-MOSFETs von Vishay/Siliconix bieten einen niedrigen Einschaltwiderstand, geringe Spannungsabfälle, einen höheren Wirkungsgrad und eine längere Batterielaufzeit. Diese Leistungs-MOSFETs sind in zahlreichen Gehäusegrößen erhältlich. Die p-Kanal-MOSFETs bieten On-Widerstandswerte für eine große Auswahl von Applikationen. Zu den Applikationen gehören Lastschalter, Adapterschalter, Batterieschalter, DC-Motoren und Ladeschalter.

Si3493DDV 20-V-p-Kanal-TrenchFET®-MOSFET der Gen. III

Der Vishay/Siliconix Si3493DDV 20-V-p-Kanal-TrenchFET^®-MOSFET der Gen. III bietet einen niedrigen Einschaltwiderstand von 0,05 Ω (max.) bei -1,8 V_GS. Der Si3493DDV MOSFET wird mit einer Betriebstemperatur von -55 °C bis 150 °C betrieben. Dieser Leistungs-MOSFET ist als Einzel-Konfiguration in einer TSOP-6-Gehäusegröße verfügbar. Der Si3493DDV MOSFET bietet einen Einschaltwiderstand für eine große Auswahl von Applikationen. Zu den Applikationen gehören Lastschalter, Batterieschalter und Batteriemanagement in mobilen Geräten.