Toshiba SSM6N951L/SSM10N954L FeldeffektTransistoren
Die SSM6N951L/SSM10N954L Feldeffekttransistoren von Toshiba fördern das hocheffiziente Laden/ Entladen von Batterien mit kleinen Zellen. Die Verbesserung der Zuverlässigkeit einer Batterie ’ mit geringer thermischer Belastung ist eine wichtige Voraussetzung für Li-Ionen-Batterien, die schnell geladen werden. MOSFETs werden im Allgemeinen in der Lade-/ Entladeschutzschaltung als Schalter verwendet und sind häufig in Li-Ionen-Akkus eingebaut.
Gelegentlich kann es zu Problemen mit der Zuverlässigkeit kommen, wenn beispielsweise die Spannung der Batteriezelle abnimmt, wodurch die GATE-Antriebsspannung sinkt oder die Temperatur auf Grund des hohen Stroms ansteigt. In diesen Fällen verschlechtert sich das RON, was eine wichtige MOSFET-Eigenschaft ist. Dies wirkt sich direkt negativ auf die Effizienz der Lade-/ Entladefunktionen aus.
Die SSM6N951L und SSM10N954L 12-V-Drain-Common-N-Kanal-MOSFETs von Toshiba werden in einem speziellen Feinprozess hergestellt, um die RON-Abhängigkeit von der GATE-Spannung und den Temperatureigenschaften zu minimieren. Diese MOSFETs verfügen daher über flache RON-Eigenschaften.
Merkmale
- Sehr geringer On-Widerstand:
- SSM6N951L RSSON = 4,6 mΩ typisch bei 3,8 V
- SSM10N954L RSSON = 2,2 mΩ typisch bei 3,8 V
- Niedriger GATE-Leckstrom: IGSS ±1uA maximal bei ±8 V
- Ultra-kleines und dünnes Gehäuse:
- SSM6N951L typisch 2,14 mm x 1,67 mm x 0,11 mm
- SSM10N954L 2,98 mm x 1,49 mm x 0,11 mm Typ.
Applikationen
- Smartphone
- Kopfhörer
- Tragbar
- Lithium-Ionen sekundäre Batterien
- Mobilgeräte
Pin-Zuordnung
Äquivalente Schaltung
SSM10N954L RSS(ON) – IS-Kurven
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| Teilnummer | Datenblatt | Beschreibung |
|---|---|---|
| SSM10N954L,EFF |  |
MOSFETs TCSPAC N-CH 12V 13.5A |
| SSM6N951L,EFF | |
MOSFETs Small Signal MOSFET Rdson: 4.4mOhm Vgs: 4.5V |
Veröffentlichungsdatum: 2020-09-09
| Aktualisiert: 2024-11-20