SSM6N951L/SSM10N954L FeldeffektTransistoren

Die SSM6N951L/SSM10N954L Feldeffekttransistoren von Toshiba   fördern das hocheffiziente Laden/ Entladen von Batterien mit kleinen Zellen. Die Verbesserung der Zuverlässigkeit einer Batterie ’ mit geringer thermischer Belastung ist eine wichtige Voraussetzung für Li-Ionen-Batterien, die schnell geladen werden. MOSFETs werden im Allgemeinen in der Lade-/ Entladeschutzschaltung als Schalter verwendet und sind häufig in Li-Ionen-Akkus eingebaut.

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 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
Toshiba MOSFETs TCSPAC N-CH 12V 13.5A
Datenblatt
9 007Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 10 000

Si SMD/SMT TCSPAC-153001-10 N-Channel 1 Channel 12 V 13.5 A - 8 V, 8 V 1.4 V 25 nC + 150 C 1.4 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs Small Signal MOSFET Rdson: 4.4mOhm Vgs: 4.5V
Datenblatt
5 948Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 10 000

Si SMD/SMT N-Channel 2 Channel 12 V 8 A 5.1 mOhms - 8 V, 8 V 1.4 V 26 nC - 55 C + 150 C 700 mW Enhancement Reel, Cut Tape