STMicroelectronics STF10LN80K5 MDmesh™ Leistungs-MOSFET

Der STMicroelectronics STF10LN80K5 MDmesh™ Leistungs-MOSFET ist mit der MDmesh™ K5-Technologie ausgelegt. Diese Technologie basiert auf einer innovativen, proprietären, vertikalen Struktur, die den On-Widerstand reduziert und über eine extrem niedrige Gate-Ladung für verschiedene Applikationen verfügt. Der STF10LN80K5 Leistungs-MOSFET verfügt über den branchenweit besten Gütefaktor (FoM, Figure of Merit) und niedrigsten RDS(on)-x-Bereich. Dieser STF10LN80K5 Leistungs-MOSFET enthält eine eingebaute Zenerdiode, welche die Leistungsfähigkeit der elektrostatischen Entladung (ESD) des Bauteils verbessert. Die Zenerspannung des Bauteils sorgt für einen kostengünstigen Integritätsschutz des Bauteils. Dadurch sind keine zusätzlichen externen Komponenten erforderlich. Der STF10LN80K5 Leistungs-MOSFET eignet sich hervorragend für Schaltapplikationen.

Merkmale

  • Branchenweit niedrigster RDS(on)-x-Bereich
  • Branchenführender Gütefaktor (FoM)
  • Extrem niedrige Gate-Ladung
  • 100 % Stoßentladungs-getestet
  • Zener-geschützt

Applikationen

  • Schaltapplikationen

STMicroelectronics STF10LN80K5 Leistungs-MOSFET - Internes Schaltplan-Diagramm

STMicroelectronics STF10LN80K5 MDmesh™ Leistungs-MOSFET
Veröffentlichungsdatum: 2017-11-30 | Aktualisiert: 2022-06-24