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STF10LN80K5

Name: STMicroelectronics STF10LN80K5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STF10LN80K5
Price: 2.92 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STF10LN80K5

Herst.- Nr.:

STF10LN80K5

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs N-channel 800 V, 0.55 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package

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Datenblatt:

STF10LN80K5 Datenblatt (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	800 V
Id - Drain-Gleichstrom:	8 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	630 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Qg - Gate-Ladung:	15 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	25 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	MDmesh
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	13 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	10 ns
Serie:	STF10LN80K5
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	28 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	11.8 ns
Gewicht pro Stück:	2 g

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Datenblatt

STF10LN80K5 Datenblatt (PDF)

PCN

Product Change Notification 2024-04-02 (PDF)

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

STF10LN80K5 MDmesh™ Leistungs-MOSFET

Der STMicroelectronics STF10LN80K5 MDmesh™ Leistungs-MOSFET ist mit der MDmesh™ K5-Technologie ausgelegt. Diese Technologie basiert auf einer innovativen, proprietären, vertikalen Struktur, die den On-Widerstand reduziert und über eine extrem niedrige Gate-Ladung für verschiedene Applikationen verfügt. Der STF10LN80K5 Leistungs-MOSFET verfügt über den branchenweit besten Gütefaktor (FoM, Figure of Merit) und niedrigsten RDS(on)-x-Bereich. Dieser STF10LN80K5 Leistungs-MOSFET enthält eine eingebaute Zenerdiode, welche die Leistungsfähigkeit der elektrostatischen Entladung (ESD) des Bauteils verbessert. Die Zenerspannung des Bauteils sorgt für einen kostengünstigen Integritätsschutz des Bauteils. Dadurch sind keine zusätzlichen externen Komponenten erforderlich. Der STF10LN80K5 Leistungs-MOSFET eignet sich hervorragend für Schaltapplikationen.

SuperMESH™ Hochspannungs-MOSFETs

STMicroelectronics Zener-geschützte SuperMESH™ Leistungs-MOSFETs stellen eine grundlegende Optimierung des streifenbasierten Standard-PowerMESH™-Layouts dar. STMicroelectronics SuperMESH MOSFETs senken den On-Widerstand signifikant und bieten gleichzeitig eine sehr gute dv/dt-Leistung, wodurch sie sich auch für anspruchsvollste Anwendungen eignen. SuperMESH-Komponenten haben eine minimierte Gate-Ladung, sind zu 100% Avalanche-getestet, haben verbesserte ESD-Fähigkeiten und ein neues Hochspannungsbenchmark. Diese STMicroelectronics MOSFETs sind für die Verwendung in Schaltanwendungen konzipiert.
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