ROHM Semiconductor RBS3 Schottky-Barriere-Dioden mit extrem niedriger VF
Die RBS3 Schottky-Barriere-Dioden von ROHM Semiconductor sind kleine, leistungsgeformte Dioden mit gleichgerichtetem 3-A-Durchlassstrom (IO) und 20-V-Sperrgleichspannung (VR). Diese Dioden werden unter Verwendung einer Silizium-Epitaxial-Planar-Bauweise hergestellt und sind entweder in PMDU (SOD-123FL) oder PMDTM (SOD-128) Gehäusen untergebracht. ROHM Semiconductor RBS3 Barriere-Dioden bieten eine extrem niedrige VF, hohe Zuverlässigkeit und werden in einem Temperaturbereich von -55 °C bis +125 °C betrieben. Diese Schottky-Barriere-Dioden eignen sich hervorragend für die allgemeine Gleichrichtung.
Merkmale
- Extrem niedrige VF und hohe Zuverlässigkeit
- 3 A durchschnittlicher gleichgerichteter Durchlassstrom (IO)
- 20 V Sperrgleichspannung (VR)
- Kleiner, Power-Mold-Typ
- Planare Silizium-Epitaxialstruktur
- PMDU- (SOD-123FL) und PMDTM-Gehäuse (SOD-128)
- -55 °C bis +125 °C Temperaturbereich
- Geeignet für allgemeine Gleichrichtung
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Veröffentlichungsdatum: 2020-12-31
| Aktualisiert: 2024-10-31