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ROHM Semiconductor RBS1-Baureihe Schottky-Barriere-Dioden mit sehr niedriger VF

Die Schottky-Barriere-Dioden der RBS1-Baureihe von ROHM Semiconductor sind kleine, leistungsstarke, geformte Dioden mit 1 A gleichgerichtetem Durchlassstrom (IO) und 20 V Gleichspannung (VR). Diese Dioden werden unter Verwendung einer Silizium-Epitaxial-Planar-Bauweise hergestellt und sind in PMDTM- (SOD-128) oder PMDU-Gehäusen (SC-109 B) untergebracht. Die RBS1 Barriere-Dioden von ROHM Semiconductor bieten eine extrem niedrige VF, hohe Zuverlässigkeit und werden in einem Temperaturbereich von -55 °C bis +125 °C betrieben. Diese Schottky-Barriere-Dioden eignen sich hervorragend für die allgemeine Gleichrichtung.

Merkmale

  • Extrem niedrige VF und hohe Zuverlässigkeit
  • 1 A Durchschnittlicher gleichgerichteter Durchlassstrom (IO)
  • 20 V Gleichsperrspannung (VR)
  • Kleiner, Power-Mold-Typ
  • Planare Silizium-Epitaxialstruktur
  • PMDTM- (SOD-128) oder PMDU-Gehäuse (SC-109B)
  • -55 °C bis +125 °C Temperaturbereich
  • Geeignet für allgemeine Gleichrichtung

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Veröffentlichungsdatum: 2020-12-31 | Aktualisiert: 2024-10-31