ROHM Semiconductor RBRxx30ANZ Schottky-Barriere-Dioden mit niedriger VF
Die RBRxx30ANZ Schottky-Barriere-Dioden von ROHM Semiconductor sind gängige Kathoden-Dioden des Dual-Typs, die in einem TO-220FN-Gehäuse verfügbar sind. Diese Dioden werden unter Verwendung einer Silizium-Epitaxial-Planar-Bauweise hergestellt. Die RBRxx30ANZ Barriere-Dioden bieten eine niedrige VF und eine hohe Zuverlässigkeit. Typische Anwendungen für diese Schottky-Barriere-Dioden von ROHM Semiconductor umfassen Schaltnetzteile und allgemeine Gleichrichtung.
Merkmale
- Gemeinsame Kathode, dualer Typ
- Hochzuverlässig
- Niedrige VF
- TO-220FN-Gehäuse
- Silizium-Epitaxial-Planarbauweise
Applikationen
- Allgemeines Gleichrichten
- Schaltnetzteile
Diodenstruktur und Abmessungen (in mm)
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Veröffentlichungsdatum: 2020-12-10
| Aktualisiert: 2024-10-31