RBRxx30ANZ Schottky-Barriere-Dioden mit niedriger VF

Die RBRxx30ANZ Schottky-Barriere-Dioden von ROHM Semiconductor sind gängige Kathoden-Dioden des Dual-Typs, die in einem TO-220FN-Gehäuse verfügbar sind. Diese Dioden werden unter Verwendung einer Silizium-Epitaxial-Planar-Bauweise hergestellt. Die RBRxx30ANZ Barriere-Dioden bieten eine niedrige VF und eine hohe Zuverlässigkeit. Typische Anwendungen für diese Schottky-Barriere-Dioden von ROHM Semiconductor umfassen Schaltnetzteile und allgemeine Gleichrichtung.

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Menge RoHS ECAD Model Produkt
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Konfiguration
Technologie
If - Durchlassstrom
Vrrm - Periodische Sperrspannung
Vf - Durchlassspannung
Ifsm - Durchlass-Stoßstrom
Ir - Sperrstrom
Maximale Betriebstemperatur
Verpackung
ROHM Semiconductor Schottky Dioden & Gleichrichter Schottky Barrier Diode Low VF, 30V, 20A, ITO-220AB
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Schottky Diodes Through Hole TO-220FN-3 Dual Anode Common Cathode Si 20 A 30 V 550 mV 100 A 200 uA + 150 C Tube
ROHM Semiconductor Schottky Dioden & Gleichrichter Schottky Barrier Diode Low VF, 30V, 30A, ITO-220AB
Datenblatt
416Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Schottky Diodes Through Hole TO-220FN-3 Dual Anode Common Cathode Si 30 A 30 V 550 mV 100 A 300 uA + 150 C Tube