Qorvo QPD1026L Eingangsabgestimmter HF-GaN-Transistor
Der Qorvo QPD1026L eingangsabgestimmte HF-GaN-Transistor ist ein diskreter 1.300-W-Galliumnitrid-auf-Siliziumkarbid-High-Electron-Mobility-Transistor (GaN-auf-SiC-HEMT), der von 420 MHz bis 450 MHz betrieben wird. Der QPD1026L bietet eine lineare Gain von 25,9 dB bei 440 MHz.Die Eingangs-Vorabanpassung innerhalb des Gehäuses führt zu einer einfacheren externen Boardanpassung, wodurch Boardplatz gespart wird. Das Bauteil unterstützt sowohl kontinuierliche Wellen- als auch gepulste Betriebsabläufe.
Der QPD1026L eingangsabgestimmte HF-GaN-Transistor von Qorvo ist in einem NI-1230-Lufthohlraum-Industriestandardgehäuse untergebracht und eignet sich hervorragend für Amateurfunk-, Funk- und Funkortungs-Applikationen. Das QPD1026L-Gehäuse enthält einen Ohrenflansch für die Bolzenmontage.
Merkmale
- Frequenzbereich: 420 MHz bis 450 MHz
- Ausgangsleistung (P3dB) von 1.318 W bei 440 MHz
- Lineare Gain: 25,9 dB bei 440 MHz
- Leistungswirkungsgrad (PAE): 80,8 %
- Gesättigte Ausgangsleistung (PSAT): 61,2 dBm
- Drain-Spannung (VD): +65 V
- Drain-Bias-Strom (IDQ): 1.500 mA
- Unterstützt CW- und PWM-Betrieb
- Betriebstemperaturbereich: -40 °C bis +85 °C
- NI-1230-Lufthohlraum-Gehäuse mit Ohrenflansch
- Halogenfrei, bleifrei und RoHS-konform
Applikationen
- UHF-Radar
- Amateurfunk
- Notrufnetz
- Funkortungsdienst
Development Tools
Qorvo QPD1026LEVB Evaluierungsboard
Demonstrations- und Entwicklungsplattform für den QPD1026L GaN-HF-Eingangs-abgestimmten Transistor.
Blockdiagramm
Pin-Bezeichnungen
Veröffentlichungsdatum: 2022-02-03
| Aktualisiert: 2022-03-11