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QPD1026L

Name: Qorvo QPD1026L
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD1026L
Price: 1776.02 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

772-QPD1026L

Herst.- Nr.:

QPD1026L

Herst.:

Qorvo

Beschreibung:

GaN FETs 1500W, 65V,GaN pre-matched, 442(+/-5) MH

Datenblatt:

QPD1026L Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	Qorvo
Produktkategorie:	GaN FETs
RoHS:
Marke:	Qorvo
Maximale Betriebsfrequenz:	450 MHz
Mindestbetriebsfrequenz:	420 MHz
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Ausgangsleistung:	1.5 kW
Verpackung:	Waffle
Produkt-Typ:	GaN FETs
Serie:	QPD1026L
Verpackung ab Werk:	18
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Transistorart:	HEMT

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Datenblatt

QPD1026L Datenblatt (PDF)

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Konformitätscodes

USHTS:: 8541497080
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Vereinigte Staaten
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

QPD1026L Eingangsabgestimmter HF-GaN-Transistor

Der Qorvo QPD1026L eingangsabgestimmte HF-GaN-Transistor ist ein diskreter 1.300-W-Galliumnitrid-auf-Siliziumkarbid-High-Electron-Mobility-Transistor (GaN-auf-SiC-HEMT), der von 420 MHz bis 450 MHz betrieben wird. Der QPD1026L bietet eine lineare Gain von 25,9 dB bei 440 MHz.Die Eingangs-Vorabanpassung innerhalb des Gehäuses führt zu einer einfacheren externen Boardanpassung, wodurch Boardplatz gespart wird. Das Bauteil unterstützt sowohl kontinuierliche Wellen- als auch gepulste Betriebsabläufe.