QPD1026L

Qorvo
772-QPD1026L
QPD1026L

Herst.:

Beschreibung:
GaN FETs 1500W, 65V,GaN pre-matched, 442(+/-5) MH

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Qorvo
Produktkategorie: GaN FETs
RoHS:  
Marke: Qorvo
Maximale Betriebsfrequenz: 450 MHz
Mindestbetriebsfrequenz: 420 MHz
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Ausgangsleistung: 1.5 kW
Verpackung: Waffle
Produkt-Typ: GaN FETs
Serie: QPD1026L
Verpackung ab Werk: 18
Unterkategorie: Transistors
Technologie: GaN
Transistorart: HEMT
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Ausgewählte Attribute: 0

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USHTS:
8541497080
ECCN:
EAR99

QPD1026L Eingangsabgestimmter HF-GaN-Transistor

Der Qorvo QPD1026L eingangsabgestimmte HF-GaN-Transistor ist ein diskreter 1.300-W-Galliumnitrid-auf-Siliziumkarbid-High-Electron-Mobility-Transistor (GaN-auf-SiC-HEMT), der von 420 MHz bis 450 MHz betrieben wird. Der QPD1026L bietet eine lineare Gain von 25,9 dB bei 440 MHz.Die Eingangs-Vorabanpassung innerhalb des Gehäuses führt zu einer einfacheren externen Boardanpassung, wodurch Boardplatz gespart wird. Das Bauteil unterstützt sowohl kontinuierliche Wellen- als auch gepulste Betriebsabläufe.