Qorvo QPA1009 17-W-Breitband-GaN-auf-SiC-Leistungsverstärker

Der Qorvo QPA1009 Breitband-GaN-on-SiC-Leistungsverstärker von17 W wird von 10,7 GHz bis 12,7 GHz betrieben und liefert eine gesättigte Ausgangsleistung von 42 dBm und eine große Signal-Gain von 16 dB, während ein Verstärkerwirkungsgrad von 33 % erreicht wird. Die QPA1009 HF-Anschlüsse verfügen über DC-Sperrkondensatoren und sind auf 50Ω abgestimmt. Der HF-Eingangsanschluss des Bauteils ist für eine optimale ESD-Leistung mit der Masse DC-gekoppelt. Der QPA1009 wird in einem 0,15-µm-QGaN15-GaN(Galliumnitrid)-on-SiC(Siliciumcarbid)-Verfahren hergestellt und ist 100 % DC- und HF- getestet, um die Einhaltung der elektrischen Spezifikationen sicherzustellen.

Der QPA1009 17-W-Breitband-GaN-auf-SiC-Leistungsverstärker von Qorvo ist in einem 6,0 mm x 5,0 mm Laminatgehäuse erhältlich. Der QPA1009 unterstützt eine breite Palette von Betriebsbedingungen, einschließlich kontinuierlicher Wellen (CW), wodurch sich das Gerät sowohl für kommerzielle als auch für militärische Anwendungen gut eignet.

Merkmale

  • 10,7 GHz bis 12,7 GHz Frequenzbereich
  • Gesättigte Ausgangsleistung (PSAT): 43 dBm
  • Wirkungsgrad (PAE): 33 %
  • 16 dB Leistungsverstärkung
  • Kleine Signal-Gain: 21 dB
  • Drain-Spannung (VD): 20 V
  • Drainstrom (IDQ): 300 mA
  • -40 °C bis +85 °C Betriebstemperaturbereich
  • 6,00 mm x 5,00 mm x 1,76 mm Laminatpaket
  • Halogenfrei, bleifrei und RoHS-konform

Applikationen

  • Satellitenkommunikationssysteme
  • Radar
  • Point-to-Point-Kommunikationssysteme

Blockdiagramm

Blockdiagramm - Qorvo QPA1009 17-W-Breitband-GaN-auf-SiC-Leistungsverstärker

Gehäuseabmessungen

Technische Zeichnung - Qorvo QPA1009 17-W-Breitband-GaN-auf-SiC-Leistungsverstärker
Veröffentlichungsdatum: 2022-02-07 | Aktualisiert: 2025-07-17