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QPA1009

Name: Qorvo QPA1009
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPA1009
Price: 396.95 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

772-QPA1009

Herst.- Nr.:

QPA1009

Herst.:

Qorvo

Beschreibung:

HF-Verstärker 10.7-12.7 GHz 17W PA PHS

Datenblatt:

QPA1009 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	Qorvo
Produktkategorie:	HF-Verstärker
Versandbeschränkungen:	Für den Export dieses Produkts aus den USA ist möglicherweise zusätzliche Dokumentation erforderlich.
RoHS:
Betriebsfrequenz:	10.7 GHz to 12.7 GHz
Verstärkung:	16 dB
Montageart:	SMD/SMT
Technologie:	GaN
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 85 C
Serie:	QPA1009
Verpackung:	Tray
Marke:	Qorvo
Eingaberücklaufverlust:	18 dB
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Pd - Verlustleistung:	59.5 W
Produkt-Typ:	RF Amplifier
Verpackung ab Werk:	20
Unterkategorie:	Wireless & RF Integrated Circuits

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PCN

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CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8542330001
TARIC:: 8542330000
MXHTS:: 8542330299
ECCN:: 3A001.b.2.b.2

QPA1009 17-W-Breitband-GaN-auf-SiC-Leistungsverstärker

Der Qorvo QPA1009 Breitband-GaN-on-SiC-Leistungsverstärker von17 W wird von 10,7 GHz bis 12,7 GHz betrieben und liefert eine gesättigte Ausgangsleistung von 42 dBm und eine große Signal-Gain von 16 dB, während ein Verstärkerwirkungsgrad von 33 % erreicht wird. Die QPA1009 HF-Anschlüsse verfügen über DC-Sperrkondensatoren und sind auf 50Ω abgestimmt. Der HF-Eingangsanschluss des Bauteils ist für eine optimale ESD-Leistung mit der Masse DC-gekoppelt. Der QPA1009 wird in einem 0,15-µm-QGaN15-GaN(Galliumnitrid)-on-SiC(Siliciumcarbid)-Verfahren hergestellt und ist 100 % DC- und HF- getestet, um die Einhaltung der elektrischen Spezifikationen sicherzustellen.