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onsemi NVHL015N065SC1 Siliziumkarbid(SiC)-MOSFET

Der onsemi NVHL015N065SC1 Siliziumkarbid(SiC)-MOSFET verwendet eine neue Technologie, die eine hervorragende Schaltleistung und hohe Zuverlässigkeit bietet. Dieser SiC-MOSFET verfügt über einen n-Kanal, einen hohen Wirkungsgrad, eine schnellere Betriebsfrequenz, eine erhöhte Leistungsdichte, eine reduzierte EMI und eine reduzierte Systemgröße. Der NVHL015N065SC1 MOSFET bietet einen niedrigen Einschaltwiderstand und eine kompakte Chip-Größe, die eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung gewährleistet. Dieser EliteSiC-MOSFET ist 100 % UIL-getestet und AEC−Q101-qualifiziert. Der NVHL015N065SC1 MOSFET verfügt über eine Drain−to−Source-Spannung von 650 V und einen Widerstand von 12 mOhm. Zu den typischen Applikationen gehören Automotive-Traktionswechselrichter, DC/DC-Wandler für EV/HEV und On-Board-Ladegeräte.

Merkmale

  • RDS(on)= 12 mΩ bei VGS= 18 V
  • RDS(on)= 15 mΩ bei VGS= 15 V
  • Drain-to-Source-Spannung: 650 V
  • Extrem niedrige Gate-Ladung (QG(tot)= 283 nC)
  • Hochgeschwindigkeitsschaltung mit niedriger Kapazität (Coss= 430 pF)
  • 100 % Avalanche- und UIL-getestet
  • AEC-Q101-qualifiziert und Produktionsteil-Abnehmeverfahren (PPAP) fähig
  • Halogenfrei
  • RoHS-konform

Applikationen

  • On-Board-Ladegeräte im Automobilbereich
  • Automotive-DC/DC-Wandler für EV/HEV
  • Automotive-Traktionswechselrichter

Maßbild

Technische Zeichnung - onsemi NVHL015N065SC1 Siliziumkarbid(SiC)-MOSFET

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Veröffentlichungsdatum: 2024-02-14 | Aktualisiert: 2024-09-09