onsemi NVHL060N065SC1 EliteSiC-MOSFET
Der onsemi NVHL060N065SC1 EliteSiC-MOSFET ist ein n-Einkanal-MOSFET von 650 V, 60 mΩ (typisch) und 47 A, der mit einem kompakten und effizienten Design für eine hohe thermische Leistungsfähigkeit ausgestattet ist. Dieser MOSFET verwendet eine völlig neue Technologie, die im Vergleich zu Silizium eine hervorragende Schaltleistung und hohe Zuverlässigkeit bietet. Darüber hinaus gewährleisten der niedrige On-Widerstand und die kompakte Chip-Größe eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Der NVHL060N065SC1 Leistungs-MOSFET bietet einen hohen Wirkungsgrad, eine schnellere Betriebsfrequenz, eine erhöhte Leistungsdichte, eine reduzierte EMI und eine reduzierte Systemgröße. Dieser MOSFET ist AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig. Zu den typischen Applikationen gehören Automotive-On-Board-Ladegeräte und Automotive-DC/DC-Wandler für Elektrofahrzeuge (EV).
Merkmale
- Drain-Source-Spannung: 650 V (VDSS)
- Hochgeschwindigkeits-Schalten mit niedriger Kapazität (COSS = 133 pF)
- Typischer RDS(on)= 44 mΩ bei VGS= 18 V
- Typischer RDS(on)= 60 mΩ bei VGS= 15 V
- Extrem niedrige Gate-Ladung (QG(tot)= 74 nC)
- AEC-Q101-qualifiziert und Produktionsteil-Abnehmeverfahren (PPAP) fähig
- Bleifrei und RoHS-konform
- 100 % Avalanche-getestet
Applikationen
- Automotive-On-Board-Ladegerät
- Automotive-DC/DC-Wandler für EV/HEV
Gehäuseabmessungen
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Technologie, die im Vergleich zu Silizium eine hervorragende Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit bietet.
Weitere Infos zu EliteSiC
onsemi EliteSiC
Erfüllt die Anforderungen von anspruchsvollen Applikationen, wie z. B. solar-Wechselrichter und Ladegeräte für Elektrofahrzeuge.
Veröffentlichungsdatum: 2024-02-20
| Aktualisiert: 2024-07-15