onsemi Siliziumkarbid(SIC)-MOSFET NVBG070N120M3S
Der onsemi NVBG070N120M3S Siliziumkarbid(SiC)-MOSFET ist ein M3S-EliteSiC-Planar-MOSFET von 1.200 V, der für Schnellschaltungs-Applikationen ausgelegt ist. Dieser MOSFET bietet eine optimale Leistung, wenn er mit einem 18-V-Gate-Drive betrieben wird, funktioniert aber auch gut mit einem 15-V-Gate-Drive. Der NVBG070N120M3S SiC-MOSFET zeichnet sich durch eine extrem niedrige Gate-Ladung von 57 nC, eine Hochgeschwindigkeits-Schaltung mit niedriger Kapazität von 57 pF und einen typischen Drain-to-Source-On-Widerstand von 65 mΩ bei VGS= 18 V aus. Dieser MOSFET ist 100 % Avalanche-getestet, AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig. Der NVBG070N120M3S SiC-MOSFET ist in einem D2PAK-7L-Gehäuse erhältlich und ist bleifrei 2LI (auf der zweiten Ebene der Zusammenschaltung) und RoHS-konform (mit Ausnahme 7a). Typische Applikationen umfassen On-Board- Ladegeräte und DC/DC-Wandler für EV/HEV.
Merkmale
- D2PAK-7L Gehäuse
- Gate-Drive-Bereich: 15 V bis 18 V
- M3S-Technologie (64,3 mΩ RDS(ON) mit geringen EON - und EOFF -Verlusten)
- 100 % Avalanche-getestet
- AEC-Q101-qualifiziert für Fahrzeuganwendungen
- Bleifrei 2LI (bei Verbindung auf zweiter Ebene)
- Halogenfrei und RoHs-konform mit Ausnahme 7a
Technische Daten
- Extrem niedrige Gate-Ladung: 57 nC
- Hochgeschwindigkeits-Schalten mit niedriger Kapazität: 57 pF
- Drain-to-Source-On-Widerstand bei VGS= 18 V: 65 mΩ (typisch)
- Maximaler Null-Gate-Spannungs-Drainstrom: 100 µA
- Typische Durchlasstranskonduktanz: 12 s
- Typische Eingangskapazität: 1230 pF
- Typische Ausgangskapazität: 57 pF
- Quellstrom (Body-Diode): 33 A
- Einzelimpuls-Drain-Source-Avalanche-Energie: 91 mJ
- Maximale Temperatur für das Löten (10 s): 270 °C
- Sperrschicht-Betriebstemperaturbereich: -55 °C bis 175 °C
- Lagertemperaturbereich: -55 °C bis +175 °C
Applikationen
- Automotive-On-Board-Ladegeräte
- Automotive-DC/DC-Wandler für EV/HEV
Gehäuseabmessungen
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Veröffentlichungsdatum: 2023-08-10
| Aktualisiert: 2024-06-18