Die EliteSiC-MOSFETs M3S von onsemi sind Lösungen für Hochfrequenz-Schaltanwendungen mit hartgeschalteten Topologien. Die MOSFETs M3S von onsemi wurden entwickelt, um Leistung und Effizienz zu optimieren. Das Gerät bietet eine bemerkenswerte Reduzierung der Gesamtschaltverluste (Etot) um ~40 % im Vergleich zu den 1200-V-20-mΩ-M1-Modellen. Die EliteSiC-MOSFETs M3S eignen sich perfekt für verschiedene Anwendungen, darunter Solarstromanlagen, Bordladegeräte und Ladestationen für Elektrofahrzeuge (EV).
Merkmale
Optimiert für Applikationen mit hoher Schaltfrequenz mit hartschaltenden Topologien
~ 40 % niedrigere Gesamtschaltverluste (Etot) im Vergleich zu vergleichbaren 1200 V 20 mΩ M1
Solar-, On-Board- Ladegeräte und EV-Ladestation-Applikationen
Steigern den Wirkungsgrad bei gleichzeitiger Vereinfachung des Systemdesigns, Reduzierung des Platzbedarfs auf dem Board und Verbesserung der Zuverlässigkeit.