onsemi NTTFS012N10MD N-Kanal-MOSFET
OnsemiDer onsemi NTTFS012N10MD n-Kanal-MOSFET wird mit einem fortschrittlichen PowerTrench® -Verfahren hergestellt, das die abgeschirmte Gate-Technologie umfasst. Dieser Prozess wurde optimiert, um den Einschaltwiderstand RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten zu minimieren und gleichzeitig eine überragende Schaltleistung aufrechtzuerhalten. Der NTTFS012N10MD MOSFET verfügt über einen niedrigen QG und eine niedrige Kapazität zur Reduzierung von Treiberverlusten, einen niedrigen QRR, eine Soft-Recovery-Bodydiode und einen niedrigen Q OSS zur Verbesserung des Wirkungsgrads bei geringer Last. Zu den typischen Applikationen gehören Primärschalter in isolierten DC/DC-Wandlern, AC/DC-Adapter, Synchrongleichrichtung in DC/DC und AC/DC, BLDC-Motoren, Lastschalter und Solarwechselrichter.
Merkmale
- Abgeschirmte Gate-MOSFET-Technologie
- Max. RDS(on)= 14,4mΩ bei VGS = 10V, ID= 15 A
- Max RDS(on)= 2.1mΩ bei VGS= 6V, ID= 7,5A
- Drain-Source-Spannung (VDSS): 100 V
- Dauersenkenstrom (ID max.): 45 A
- Hoher Wirkungsgrad und reduziert das Schaltrauschen/EMI
- Niedriger RDS(on) zur Reduzierung von Leitungsverlusten
- Niedriger QG und geringe Kapazität zur Reduzierung von Treiberverlusten
- Niedriger QRR und Soft-Recovery-Bodydiode
- Niedriger QOSS zur Verbesserung des Wirkungsgrads bei geringer Last
- MSL1 robustes Gehäusedesign
- 100 % UIL-getestet
- RoHs-konform
Applikationen
- Primärschalter in isoliertem DC/DC-Wandler
- Synchrongleichrichtung (SR) in DC/DC und AC/DC
- AC/DC-Adapter-SR (USB-PD)
- Netzteil
- Lastschalter
- Motorantrieb
- Hot-Swap- und O-Ring-Schalter
- BLDC-Motor
- Solarwechselrichter
Verwandte Produkte
onsemi PowerTrench Technologie
Repräsentiert die Weiterentwicklung der PowerTrench Technologie, insbesondere von T6 bis T10.
Veröffentlichungsdatum: 2022-02-23
| Aktualisiert: 2024-06-14