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NTTFS012N10MDTAG

Name: onsemi NTTFS012N10MDTAG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTTFS012N10MDTAG
Price: 1.89 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTTFS012N10MDTAG

Herst.- Nr.:

NTTFS012N10MDTAG

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET U8FL

Datenblatt:

NTTFS012N10MDTAG Datenblatt

ECAD Model:

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	0.655 CHF	327.50 CHF
	0.552 CHF	552.00 CHF
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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	WDFN-8
Handelsname:	PowerTrench
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	NTTFS012N10MD
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors

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Datenblatt

NTTFS012N10MDTAG Datenblatt

Material Composition Disclosure

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Korea, Republik von
Herstellungsland:: Malaysia
Land der Verbreitung:: Korea, Republik von

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

PowerTrench Technologie

Die onsemi PowerTrench Technologie stellt die Weiterentwicklung der PowerTrench Technologie dar, insbesondere von T6 bis T10, was einen Durchbruch in der Leistungselektronikbedeutet. Die von onsemi entwickelten PowerTrench MOSFETs bieten verbesserte Wirkungsgrade und Leistungen in verschiedenen Applikationen. Der Wechsel von T6/T8 zu T10 verbessert den On-Widerstand und die Schaltleistung auf signifikante Weise, was für energieeffiziente Designs entscheidend ist.

NTTFS012N10MD N-Kanal-MOSFET

OnsemiDer onsemi NTTFS012N10MD n-Kanal-MOSFET wird mit einem fortschrittlichen PowerTrench^® -Verfahren hergestellt, das die abgeschirmte Gate-Technologie umfasst. Dieser Prozess wurde optimiert, um den Einschaltwiderstand R_DS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten zu minimieren und gleichzeitig eine überragende Schaltleistung aufrechtzuerhalten. Der NTTFS012N10MD MOSFET verfügt über einen niedrigen Q_G und eine niedrige Kapazität zur Reduzierung von Treiberverlusten, einen niedrigen Q_RR, eine Soft-Recovery-Bodydiode und einen niedrigen Q_OSS zur Verbesserung des Wirkungsgrads bei geringer Last. Zu den typischen Applikationen gehören Primärschalter in isolierten DC/DC-Wandlern, AC/DC-Adapter, Synchrongleichrichtung in DC/DC und AC/DC, BLDC-Motoren, Lastschalter und Solarwechselrichter.