onsemi NTHL022N120M3S EliteSiC Siliciumcarbid-MOSFET
Der NTHL022N120M3S EliteSiC Siliziumkarbid-MOSFET von onsemi ist ein 1.200-V-M3S-Planar-Bauteil, das für schnelle Schaltanwendungen optimiert ist. Die Planartechnologie arbeitet zuverlässig mit einem negativen Gate-Spannungsantrieb und schaltet Spitzen am Gate aus. Der NTHL022N120M3S bietet eine optimale Leistung bei Betrieb mit einem 18-V-Gate-Treiber (arbeitet aber auch mit einem 15-V-Gate-Treiber). Der NTHL022N120M3S ist in einem TO-247-3L-Gehäuse erhältlich und eignet sich hervorragend für Industrie-, USV-/ESS-, Solar- und EV-Ladegerät-Applikationen.
Merkmale
- Ausgezeichnete FOM
- Extrem niedrige Gate-Ladung
- Hochgeschwindigkeits-Schalten mit niedriger Kapazität
- Gate-Drive von 15 V bis 18 V
- n-Kanal
- Erweiterungsmodus
- M3S-Technologie
- Durchsteckmontage, TO-247-3L-Gehäuseausführung
- 100 % Avalanche-getestet
- Halogenfrei und RoHS-konform
Applikationen
- Industrieapplikationen
- UPS/ESS
- Solaranlagen
- EV-Ladegeräte
Technische Daten
- Drain-Source-Durchschlagspannung: 12 kV
- Dauersenkenstrom: 68 A
- On-Drain-Source-Widerstand: 30 mΩ
- Gate-Source-Spannung: -10 V oder +22 V
- Gate-Source-Schwellenspannung: 4,4 V
- Gate-Ladung: 139 nC
- Betriebstemperaturbereich: -55 °C bis +175 °C
- Verlustleistung: 352 W
- Abfallzeit: 14 ns
- Anlaufzeit: 50 ns
- Durchfluss-Transkonduktanz: 34 s
- Typische Verzögerungszeit
- Ausschalten: 44 ns
- Einschalten: 19 ns
Weitere Ressourcen
Dazugehörige Motorantriebe
onsemi Industrielle Motorantriebe
Entwickelt für globale Nachhaltigkeit, liefert effiziente, erneuerbare Technologien und intelligente Leistung.
Zugehörige Lösungen
onsemi EliteSiC
Erfüllt die Anforderungen von anspruchsvollen Applikationen, wie z. B. solar-Wechselrichter und Ladegeräte für Elektrofahrzeuge.
Veröffentlichungsdatum: 2023-05-01
| Aktualisiert: 2024-06-19