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NTHL022N120M3S

Name: onsemi NTHL022N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NTHL022N120M3S
Price: 15.19 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTHL022N120M3S

Herst.- Nr.:

NTHL022N120M3S

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-3L 22MOHM 1200V M3

Datenblatt:

NTHL022N120M3S Datenblatt

ECAD Model:

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	11.17 CHF	111.70 CHF
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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	68 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	30 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.4 V
Qg - Gate-Ladung:	139 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	352 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	EliteSiC
Marke:	onsemi
Abfallzeit:	14 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	34 S
Verpackung:	Tube
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	50 ns
Serie:	NTHL022N120M3S
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	44 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	19 ns

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Datenblatt

NTHL022N120M3S Datenblatt

PCN

Material Composition Disclosure

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: China
Land der Verbreitung:: Korea, Republik von

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

NTHL022N120M3S EliteSiC Siliciumcarbid-MOSFET

Der NTHL022N120M3S EliteSiC Siliziumkarbid-MOSFET von onsemi ist ein 1.200-V-M3S-Planar-Bauteil, das für schnelle Schaltanwendungen optimiert ist. Die Planartechnologie arbeitet zuverlässig mit einem negativen Gate-Spannungsantrieb und schaltet Spitzen am Gate aus. Der NTHL022N120M3S bietet eine optimale Leistung bei Betrieb mit einem 18-V-Gate-Treiber (arbeitet aber auch mit einem 15-V-Gate-Treiber). Der NTHL022N120M3S ist in einem TO-247-3L-Gehäuse erhältlich und eignet sich hervorragend für Industrie-, USV-/ESS-, Solar- und EV-Ladegerät-Applikationen.

M3S EliteSiC-MOSFETs

Die EliteSiC-MOSFETs M3S von onsemi sind Lösungen für Hochfrequenz-Schaltanwendungen mit hartgeschalteten Topologien. Die MOSFETs M3S von onsemi wurden entwickelt, um Leistung und Effizienz zu optimieren. Das Gerät bietet eine bemerkenswerte Reduzierung der Gesamtschaltverluste (Etot) um ~40 % im Vergleich zu den 1200-V-20-mΩ-M1-Modellen. Die EliteSiC-MOSFETs M3S eignen sich perfekt für verschiedene Anwendungen, darunter Solarstromanlagen, Bordladegeräte und Ladestationen für Elektrofahrzeuge (EV).

Lösungen zur Energiespeicherung

onsemi Energiespeichersysteme (ESS) speichern Strom aus verschiedenen Energiequellen wie Kohle, Kernkraft, Wind und Sonne in verschiedenen Formen, darunter Batterien (elektrochemisch), Druckluft (mechanisch) und Salzschmelze (thermisch). Diese Lösung konzentriert sich auf Batterie-Energiespeichersysteme, die an Solar-Wechselrichtersysteme angeschlossen sind.