onsemi NTBG022N120M3S M3S-Baureihe 1.200-V-SiC-MOSFET
Der onsemi NTBG022N120M3S 1.200-V-SiC(Siliziumkarbid)-MOSFET der M3S-Baureihe ist für Schnellschaltungs-Applikationen optimiert und bietet einen niedrigen Drain-Source-On-Widerstand von 22 mΩ. Die SiC-MOSFETs der M3S-Baureihe bieten eine optimale Leistung, wenn sie mit einem 18-V-Gate-Drive betrieben werden, funktionieren aber auch gut mit einem 15-V-Gate-Drive. Dieses Bauteil verfügt über die Planar-Technologie, die zuverlässig mit einem negativem Gate-Spannungs-Drive und Ausschaltspitzen auf dem Gate funktioniert.
Der NTBG022N120M3S 1.200-V-SiC-MOSFET der M3S-Baureihe von onsemi ist in einem D2PAK-7L-Gehäuse für eine niedrige gängige Quelleninduktivität untergebracht.
Merkmale
- Für Schnellschalt-Applikationen optimiert
- Geringe Schaltverluste
- Einschaltverlust von 485 µJ bei 40 A, 800 V (typisch)
- 18 V für beste Leistung; 15 V für Kompatibilität mit IGBT-Treiberschaltungen
- 100 % Avalanche-getestet
- Verbesserte Leistungsdichte
- Verbesserte Robustheit bei unerwarteten eingehenden Spannungsspitzen oder Überschwingungen
Applikationen
- AC/DC-Wandlung
- DC/AC-Wandlung
- DC/DC-Wandlung
- Schaltnetzteile (SNT)
- USV
- Ladestationen für Elektrofahrzeuge
- Solarwechselrichter
- Energiespeichersysteme
Technische Daten
- Drain-Source-Spannung (VDSS): 1.200 V
- Drain-Source-On-Widerstand (RDS(on)): 22 mΩ
- Gate-Source-Spannung (VGS): -10 V/+22 V
- Drain-Source-Durchschlagspannungs-Temperaturkoeffizient (V(BR)DSS/TJ): 0,3 V/°C
- Null-Gate-Spannungs-Drainstrom (IDSS): 100 µA
- Gate-Source-Ableitstrom (IGSS): ±1 µA
- Ununterbrochener Drainstrom (ID):
- 58 A bei TC = 25 °C
- 41 A bei TC = 100 °C
- Verlustleistung (PD):
- 234 W bei TC = 25 °C
- 117 W bei TC = 100 °C
- Gate-Schwellenspannung von 2,04 V bis 4,4 V; 2,72 V typisch (VGS(TH))
- Eingangskapazität (CISS): 3.200 pF
- Ausgangskapazität (COSS): 148 pF
- Rückübertragungskapazität (CRSS): 14 pF
- Einschalt-Verzögerungszeit (td(ON)): 18 ns
- Anstiegszeit (tr): 24 ns
- Ausschalt-Verzögerungszeit (td(OFF)): 47 ns
- Abfallzeit (tf): 14 ns
- Sperrverzögerungszeit (tRR): 23 ns
- Sperrschicht-Betriebs- und Lagertemperaturbereich (TJ, Tstg): -55 °C bis +175 °C
- D2PAK7-Gehäuse (TO-263-7L HV)
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Veröffentlichungsdatum: 2022-08-24
| Aktualisiert: 2024-06-19