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 Herst.
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Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 30MOHM M3S 1200V
Datenblatt
640Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 77 A 39 mOhms - 10 V, 22 V 4.4 V 107 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement
onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 30MOHM 1200V M3
Datenblatt
738Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 54 A 39 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 107 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC