onsemi 650-V-Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs
onsemi 650-V-Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs verwenden eine völlig neue Technologie, die im Vergleich zu Silizium (S) eine bessere Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Diese 650-V-MOSFETs haben einen niedrigen Einschaltwiderstand und eine kompakte Chipgröße, um eine geringe Kapazität und Gate-Ladung zu gewährleisten. Zu den Vorteilen gehören hoher Wirkungsgrad, schnelle Betriebsfrequenz, erhöhte Leistungsdichte, reduzierte EMI und geringere Systemgröße.
Merkmale
- Niedriger RDS(on)
- Hohe Sperrschichttemperatur
- Tj = 175 °C
- 100 % UIL-getestet
- RoHs-konform
- Hochgeschwindigkeits-Schaltung und niedrige Kapazität
- Mit 650 V eingestuft
Applikationen
- DC/DC-Wandler
- Verstärkender Wechselrichter
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