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NTBL045N065SC1

Name: onsemi NTBL045N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBL045N065SC1
Price: 10.56 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTBL045N065SC1

Herst.- Nr.:

NTBL045N065SC1

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

SiC-MOSFETs SIC MOS TOLL 650V

Datenblatt:

NTBL045N065SC1 Datenblatt

ECAD Model:

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	10.56 CHF	10.56 CHF
	7.08 CHF	70.80 CHF
	6.11 CHF	611.00 CHF
	6.07 CHF	3 035.00 CHF
	5.71 CHF	5 710.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2000)
	5.71 CHF	11 420.00 CHF

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PSOF-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	73 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	50 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, + 22 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.3 V
Qg - Gate-Ladung:	105 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	348 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	EliteSiC
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	7 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	16 S
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	14 ns
Serie:	NTBL045N065SC1
Verpackung ab Werk:	2000
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Regelabschaltverzögerungszeit:	26 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	13 ns

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Datenblatt

NTBL045N065SC1 Datenblatt

PCN

Material Composition Disclosure

Konformitätscodes

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Philippinen
Herstellungsland:: Philippinen
Land der Verbreitung:: Korea, Republik von

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

NTBL045N065SC1 33-mOhm-Siliziumkarbid-MOSFET

Der onsemi NTBL045N065SC1 33-mOhm-Siliziumkarbid-MOSFET ist in einem NTBL045N065SC1 TOLL-Gehäuse untergebracht und auf Schnelligkeit und Robustheit ausgelegt. Die Bauteile bieten eine 10x höhere dielektrische Durchbruchfeldstärke und eine 2x höhere Elektronen-Sättigungsgeschwindigkeit. Die MOSFETs bieten auch eine 3x höhere Energiebandlücke und 3x höhere Wärmeleitfähigkeit. Alle SiC-MOSFETs von onsemi umfassen AEC-Q101-qualifizierte und PPAP-fähige Optionen, die speziell für Fahrzeuganwendungen und Industrieapplikationen ausgelegt und qualifiziert sind.

Wärmepumpen

Die Wärmepumpe steht als Eckpfeiler des globalen Wandels hin zu einer sicheren und nachhaltigen Erwärmung und nutzt die emissionsarme Elektrizität für zuverlässige Wärme. Während seine Hauptfunktion die Heizung ist, bieten innovative Rücklaufzyklusmodelle auch Kühlmöglichkeiten. Darüber hinaus bieten Wärmepumpen durch effiziente Rückgewinnung und Anhebung ihrer Temperatur ein enormes Energieeinsparpotenzial. Da Unternehmen sich auf eine kohlenstoffarme Zukunft konzentrieren, besteht eine wachsende Nachfrage nach effizienteren Leistungshalbleitern. Ein ausgewogenes Verhältnis von Kosten, Footprint und Wirkungsgrad ist dabei von entscheidender Bedeutung. Onsemi Intelligente Leistungsmodule (IPMs) stellen eine bemerkenswerte Lösung im Wärmepumpenmarkt dar und bieten ein kompaktes Design, eine hohe Leistungsdichte und erweiterte Steuerfunktionen.

650-V-Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs

onsemi 650-V-Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs verwenden eine völlig neue Technologie, die im Vergleich zu Silizium (S) eine bessere Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Diese 650-V-MOSFETs haben einen niedrigen Einschaltwiderstand und eine kompakte Chipgröße, um eine geringe Kapazität und Gate-Ladung zu gewährleisten. Zu den Vorteilen gehören hoher Wirkungsgrad, schnelle Betriebsfrequenz, erhöhte Leistungsdichte, reduzierte EMI und geringere Systemgröße.

M2 EliteSiC-MOSFETs

onsemi M2 EliteSic-MOSFETs verfügen über Spannungsoptionen von 650 V, 750 V und 1.200 V. Die M2-MOSFETs von onsemi sind in verschiedenen Gehäusen verfügbar, einschließlich D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4-8x8, TO-247-3LD und TO-247-4LD. Die MOSFETs bieten Flexibilität bei Design und Implementierung. Darüber hinaus verfügen die M2 EliteSic MOSFETs über eine maximale Gate-Source-Spannung von +22 V/-8 V, einen niedrigen R_DS(on) und eine hohe Kurzschlussfestigkeitszeit (SCWT).