Nexperia GAN041-650WSB Galliumnitrid(GaN)-FET

Der Nexperia GAN041-650WSB Galliumnitrid(GaN)-FET verfügt über eine Drain-Quellenspannung von 650 V, einen Drain-Nennstrom von 47,2 A und einen maximalen Widerstand von 41 mΩ. Der GAN041 wird in einem TO-247-Gehäuse geliefert und ist ein normalerweise ausgeschaltetes Bauteil, das die Hochspannungs-GaN-HEMT-H2-Technologie und die Niederspannungs-Silizium-MOSFET-Technologien kombiniert. Die Kombination dieser Technologien bietet eine hervorragende Zuverlässigkeit und Leistungsfähigkeit. Der GAN041-650WSB GaN-FET von Nexperia eignet sich hervorragend für brückenlose Totem-Pole-PFC, Servomotorantriebe sowie hart- und weichschaltende Wandler für Industrie- und Datenkommunikationsleistung.