Nexperia eMode GaN-FETs
Nexperia eMode GaN-FETs bieten einen Spannungsbereich von 100 V bis 650 V und eine hervorragende Schaltleistung. Diese FETs bieten einen schnellen Übergang und eine schnelle Schaltfähigkeit, einen hervorragenden Leistungswirkungsgrad und niedrige QC - und QOSS -Werte.
Die eMode Niederspannungs-GaN-FETs (< 200 V) von Nexperia bieten eine optimale Flexibilität in Leistungssystemen. Diese Bauteile bieten aufgrund der sehr niedrigen QC - und QOSS -Werte eine hervorragende Schaltleistung. Ermöglicht ein schnelleres Aufladen für E-Mobilitäts- und drahtgebundene/drahtlose Ladesysteme sowie erhebliche Platz- und BOM-Einsparungen in LiDAR und geringeres Rauschen in Audioverstärkern der Klasse D.
Die eMode Hochspannungs-GaN-FETs (200 V bis 650 V) von Nexperia bieten eine optimale Flexibilität in Leistungssystemen und eignen sich hervorragend für stromsparende 650-V-Applikationen. Diese Bauteile bieten aufgrund der sehr niedrigen QC - und QOSS -Werte eine hervorragende Schaltleistung und einen verbesserten Wirkungsgrad für eine AC/DC- und DC/AC-Leistungsumwandlung von 650 V. Außerdem bieten diese Bauteile erhebliche Platz- und BOM-Einsparungen in BLDC- und Mikro-Servo-Motorantrieben oder LED-Treibern.
Nexperia eMode GaN-FETs für Hochspannungsapplikationen (200 V bis 650 V) anzeigen
Merkmale
- Anreicherungsmodus – Normal-Aus-Netzschalter
- Schaltfähigkeit mit ultra-hoher Frequenz
- Ohne Bodydiode
- Niedrige Gate-Ladung, niedrige Ausgangsladung
- Qualifiziert für Standardapplikationen
- ESD-Schutz
- Bleifrei, RoHS- und REACH-konform
- Hoher Wirkungsgrad und hohe Leistungsdichte
Applikationen
- Leistungsumwandlung mit hoher Leistungsdichte und hohem Wirkungsgrad
- AC/DC-Wandler
- Handy-, Laptop-, Tablet- und USB Type-C™-Ladegeräte mit schnellem Batterieaufladen
- Datenkommunikations- und Telekommunikations-Wandler (AC/DC und DC/DC)
- Motorantriebe
- Audioverstärker der Klasse D
Weitere Ressourcen
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