Vishay / Siliconix SQJQ410EL SQ Automobil-Leistungs-MOSFET
Der Automobil-Leistungs-MOSFET SQJQ410EL SQ von Vishay Siliconix ist ein nach AEC-Q101 qualifizierter n-Kanal-Leistungs-MOSFET, optimiert für den Einsatz in der Automobilindustrie. Der Automobil-Leistungs-MOSFET SQJQ410EL SQ von Vishay Siliconix mit extrem niedrigen RDS(ON) und TrenchFET®-Technologie ist für eine maximale Sperrschichttemperatur von 175 °C ausgelegt. Der Leistungs-MOSFET SQJQ410EL SQ von Vishay Siliconix ist in einem kompakten, thermisch verbesserten Power Pak® 8 x 8L-Gehäuse erhältlich, was zu 75 % dünner und 55 % kleiner ist als die D2PAK-Gehäuse.
Merkmale
- TrenchFET Power MOSFET
- Low thermal resistance
- AEC-Q101 qualified
- Ideal for automotive applications that require ruggedness and high reliability
- 100% Rg and UIS tested
- Compact PowerPAK 8 x 8L package (8.1mm x 8.25mm x 1.9mm)
- Lead free, halogen free
- RoHS compliant
Technische Daten
- 100V drain-source voltage (VDS)
- ±20V gate-source voltage (VGS)
- RDS(ON)
- 0.0034Ω at VGS = 10V
- 0.0040Ω at VGS = 4.5V
- Continuous drain current (ID)
- 135A at TC = 25ºC
- 78A at TV = 125ºC
- -55°C to +175°C junction temperature range (TJ)
Block Diagram
Dimensions
Veröffentlichungsdatum: 2017-03-10
| Aktualisiert: 2022-07-01