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SQJQ410EL-T1_GE3

Name: Vishay SQJQ410EL-T1_GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SQJQ410EL-T1_GE3
Price: 3.25 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SQJQ410EL-T1_GE3

Herst.- Nr.:

SQJQ410EL-T1_GE3

Herst.:

Vishay / Siliconix

Beschreibung:

MOSFETs N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

Datenblatt:

SQJQ410EL-T1_GE3 Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	3.25 CHF	3.25 CHF
	2.14 CHF	21.40 CHF
	1.51 CHF	151.00 CHF
	1.36 CHF	680.00 CHF
	1.28 CHF	1 280.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2000)
	1.15 CHF	2 300.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerPAK-8x8-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	135 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	2.8 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.5 V
Qg - Gate-Ladung:	150 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	136 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Handelsname:	TrenchFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay / Siliconix
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	87 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	84 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	40 ns
Serie:	SQJQ
Verpackung ab Werk:	2000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	69 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	19 ns
Gewicht pro Stück:	50 mg

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Datenblatt

SQJQ410EL-T1_GE3 Datenblatt

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Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

SQJQ410EL SQ Automobil-Leistungs-MOSFET

Der Automobil-Leistungs-MOSFET SQJQ410EL SQ von Vishay Siliconix ist ein nach AEC-Q101 qualifizierter n-Kanal-Leistungs-MOSFET, optimiert für den Einsatz in der Automobilindustrie. Der Automobil-Leistungs-MOSFET SQJQ410EL SQ von Vishay Siliconix mit extrem niedrigen R_DS(ON) und TrenchFET^®-Technologie ist für eine maximale Sperrschichttemperatur von 175 °C ausgelegt.

Der Leistungs-MOSFET SQJQ410EL SQ von Vishay Siliconix ist in einem kompakten, thermisch verbesserten Power Pak^® 8 x 8L-Gehäuse erhältlich, was zu 75 % dünner und 55 % kleiner ist als die D²PAK-Gehäuse.
Mehr erfahren

SQJQ Automotive-MOSFETs

Vishay / Siliconix SQJQ Automotive-MOSFETs sind TrenchFET^®-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs. Diese AEC-Q101-qualifizierten MOSFETs sind 100 % Rg- und UIS-getestet (Unclamped Inductive Switching, UIS). Die SQJQ Automotive-MOSFETs bieten einen sehr niedrigen R_DS(on) und arbeiten in einem Temperaturbereich von -55 °C bis +175 °C. Diese Automobilstandard-MOSFETs sind in einem vollständig bleifreien (Pb) PowerPAK^® -8x8L-Gehäuse mit Einzel-/Dual-Konfigurationen verfügbar. Zu den typischen Applikationen gehören Automotive, Motormanagement, Motorantriebe/-aktoren, Karosseriesysteme und Batteriemanagement.