Vishay / Siliconix SiS890ADN 100-V-n-Kanal-MOSFET
Der Vishay/Siliconix SiS890ADN 100-V-n-Kanal-MOSFET bietet eine Drain-Quellenspannung von 100 VDC, einen gepulsten Drainstrom von 40 A und eine Einzelkonfiguration. Der SiS890ADN MOSFET verfügt über eine niedrige RDS x Qg-Gütezahl (FOM) zusammen mit einer TrenchFET®-GEn-IV-Leistung. Dieser MOSFET ist zu 100 % Rg- und UIS-getestet. Der SiS890ADN 100-V-n-Kanal-MOSFET von Vishay eignet sich hervorragend für die Synchrongleichrichtung, primärseitige Schalter, DC/DC-Wandler und den Schaltungsschutz.
Merkmale
- TrenchFET-Gen-IV-Leistungs-MOSFET
- Niedrige RDS x Qg-Gütezahl (FOM)
- Abgestimmt auf den niedrigsten RDS x Qoss FOM
- 100 % Rg- und UIS-getestet
- RoHS-konform
- Halogenfrei
Applikationen
- Synchrongleichrichtung
- Primärseitige Schalter
- DC/DC-Wandler
- Motorantriebsschalter
- Schaltungsschutz
- Lastschalter
Abmessungen
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Veröffentlichungsdatum: 2020-11-19
| Aktualisiert: 2024-12-16