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SIS890ADN-T1-GE3

Name: Vishay SIS890ADN-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIS890ADN-T1-GE3
Price: 1.07 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SIS890ADN-T1-GE3

Herst.- Nr.:

SIS890ADN-T1-GE3

Herst.:

Vishay / Siliconix

Beschreibung:

MOSFETs PWRPK 100V 24.7A N-CH MOSFET

Datenblatt:

SIS890ADN-T1-GE3 Datenblatt

ECAD Model:

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Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 1.07	CHF 1.07
	CHF 0.676	CHF 6.76
	CHF 0.447	CHF 44.70
	CHF 0.354	CHF 177.00
	CHF 0.322	CHF 322.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 0.284	CHF 852.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerPAK-1212-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	24.7 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	25.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	19.2 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	39 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	TrenchFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay / Siliconix
Abfallzeit:	4 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	45 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	6 ns
Serie:	SIS
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	TrenchFET Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	19 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	9 ns
Gewicht pro Stück:	1 g

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CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

TrenchFET Gen IV MOSFETs

Die TrenchFET® Gen IV MOSFETs von Vishay / Siliconix gehören zur TrenchFET® Produktfamilie der Leistungs-MOSFETs der nächsten Generation. Die TrenchFET Gen IV MOSFETs verfügen über einen branchenweit niedrigen ON-Widerstand und eine niedrige Gate-Gesamtladung in den PowerPAK® SO-8- und 1212-8S-Gehäusen. Diese TrenchFET Gen IV MOSFETs haben einen extrem niedrigen R_DS(on), der niedrigere Leitungsverluste und damit einen geringeren Stromverbrauch bewirkt. Die TrenchFET MOSFETs sind außerdem in platzsparenden PowerPAK® 1212-8-Gehäusen erhältlich, die einen Wirkungsgrad bieten, der mit Gehäusen von einem Drittel der Größe vergleichbar ist. Zu den typischen Applikationen gehören Hochleistungs-DC/DC-Wandler, Synchrongleichrichtung, Mikro-Solarwechselrichter und Motorantriebsschalter.

SiS890ADN 100-V-n-Kanal-MOSFET

Der Vishay/Siliconix SiS890ADN 100-V-n-Kanal-MOSFET bietet eine Drain-Quellenspannung von 100 V_DC, einen gepulsten Drainstrom von 40 A und eine Einzelkonfiguration. Der SiS890ADN MOSFET verfügt über eine niedrige R_DS x Q_g-Gütezahl (FOM) zusammen mit einer TrenchFET^®-GEn-IV-Leistung. Dieser MOSFET ist zu 100 % R_g- und UIS-getestet. Der SiS890ADN 100-V-n-Kanal-MOSFET von Vishay eignet sich hervorragend für die Synchrongleichrichtung, primärseitige Schalter, DC/DC-Wandler und den Schaltungsschutz.