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Vishay / Siliconix SiZF906BDT n-Zweikanal-(D-S)-MOSFET

Der Vishay/Siliconix SiZF906BDT n-Zweikanal-(D-S)-MOSFET ist ein SkyFET® Low-Side-MOSFET mit integriertem Schottky. Der TrenchFET® Gen IV Leistungs-MOSFET wird in einem PowerPAIR-6x5F-Gehäuse angeboten und ist zu 100 % Rg- und UIS-getestet. Der SiZF906BDT Dual-MOSFET von Vishay/Siliconix eignet sich hervorragend für die CPU-Core-Leistung, Computer-/Server-Peripherie, POL, synchroner Abwärtswandler und Telekommunikations-DC/DC-Applikationen.

Merkmale

  • TrenchFET®-Gen-IV-Leistungs-MOSFET
  • SkyFET®-Low-Side-MOSFET mit integriertem Schottky
  • 100 % Rg- und UIS-getestet

Applikationen

  • CPU-Core-Leistung
  • Computer-/Server-Peripherie
  • POL
  • Synchroner Abwärtswandler
  • Telekommunikations-DC/DC-Wandler

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Gehäusetyp

Vishay / Siliconix SiZF906BDT n-Zweikanal-(D-S)-MOSFET
Veröffentlichungsdatum: 2021-02-05 | Aktualisiert: 2022-03-11