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SIZF906BDT-T1-GE3

Name: Vishay SIZF906BDT-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIZF906BDT-T1-GE3
Price: 2.34 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SIZF906BDT-T1-GE3

Herst.- Nr.:

SIZF906BDT-T1-GE3

Herst.:

Vishay / Siliconix

Beschreibung:

MOSFETs PPAIR6X5 2NCH 30V 36A

Datenblatt:

SIZF906BDT-T1-GE3 Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	2.34 CHF	2.34 CHF
	1.51 CHF	15.10 CHF
	1.05 CHF	105.00 CHF
	0.841 CHF	420.50 CHF
	0.792 CHF	792.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0.751 CHF	2 253.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerPAIR-6x5F-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	105 A, 257 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	680 uOhms, 2.1 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 16 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.2 V
Qg - Gate-Ladung:	25 nC, 81 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	38 W, 83 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	TrenchFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay / Siliconix
Konfiguration:	Dual
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	MY
Abfallzeit:	5 ns, 10 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	93 S, 170 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	5 ns, 30 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	TrenchFET Gen IV Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	22 ns, 40 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	12 ns, 20 ns
Gewicht pro Stück:	337,318 mg

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CNHTS:: 8504409100
TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SiZF906BDT n-Zweikanal-(D-S)-MOSFET

Der Vishay/Siliconix SiZF906BDT n-Zweikanal-(D-S)-MOSFET ist ein SkyFET^® Low-Side-MOSFET mit integriertem Schottky. Der TrenchFET^® Gen IV Leistungs-MOSFET wird in einem PowerPAIR-6x5F-Gehäuse angeboten und ist zu 100 % Rg- und UIS-getestet. Der SiZF906BDT Dual-MOSFET von Vishay/Siliconix eignet sich hervorragend für die CPU-Core-Leistung, Computer-/Server-Peripherie, POL, synchroner Abwärtswandler und Telekommunikations-DC/DC-Applikationen.