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Vishay / Siliconix SISH892BDN 100-V-n-Kanal-MOSFET

Der Vishay/Siliconix SISH892BDN 100-V-n-Kanal-MOSFET ist ein TrenchFET®-Gen-IV-Leistungs-MOSFET, der zu 100 % Rg- und UIS-getestet ist. Der SISH892BDN MOSFET bietet 100 V VDS, 20 A ID und 8 nC Qg. Der SISH892BDN MOSFET von Vishay/Siliconix ist in einem PowerPAK® 1212-8SH-Gehäuse erhältlich und verfügt über einen Sperrschicht- und Lagertemperaturbereich von -55 °C bis +150 °C.

Der SISH892BDN 100-V-n-Kanal-MOSFET eignet sich hervorragend für DC/DC-Applikationen mit hoher Leistungsdichte, Synchrongleichrichtung und LED-Beleuchtungsapplikationen.

Merkmale

  • TrenchFET®-Gen-IV-Leistungs-MOSFET
  • 100 % Rg- und UIS-getestet

Applikationen

  • Hohe DC/DC-Leistungsdichte
  • Synchrongleichrichtung
  • LED-Beleuchtung

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Gehäuseausführung

Vishay / Siliconix SISH892BDN 100-V-n-Kanal-MOSFET
Veröffentlichungsdatum: 2021-04-12 | Aktualisiert: 2022-03-11