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SISH892BDN-T1-GE3

Name: Vishay SISH892BDN-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SISH892BDN-T1-GE3
Price: 1.03 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SISH892BDN-T1-GE3

Herst.- Nr.:

SISH892BDN-T1-GE3

Herst.:

Vishay / Siliconix

Beschreibung:

MOSFETs PWRPK 100V 20A N-CH MOSFET

Datenblatt:

SISH892BDN-T1-GE3 Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 1.03	CHF 1.03
	CHF 0.648	CHF 6.48
	CHF 0.429	CHF 42.90
	CHF 0.333	CHF 166.50
	CHF 0.303	CHF 303.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 0.264	CHF 792.00
	CHF 0.252	CHF 1 512.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerPAK-1212-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	20 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	30.4 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.4 V
Qg - Gate-Ladung:	17.4 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	29 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	TrenchFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay / Siliconix
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	4 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	33 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	5 ns
Serie:	SISH
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	TrenchFET Gen IV Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	19 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	9 ns

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

TrenchFET Gen IV MOSFETs

Die TrenchFET® Gen IV MOSFETs von Vishay / Siliconix gehören zur TrenchFET® Produktfamilie der Leistungs-MOSFETs der nächsten Generation. Die TrenchFET Gen IV MOSFETs verfügen über einen branchenweit niedrigen ON-Widerstand und eine niedrige Gate-Gesamtladung in den PowerPAK® SO-8- und 1212-8S-Gehäusen. Diese TrenchFET Gen IV MOSFETs haben einen extrem niedrigen R_DS(on), der niedrigere Leitungsverluste und damit einen geringeren Stromverbrauch bewirkt. Die TrenchFET MOSFETs sind außerdem in platzsparenden PowerPAK® 1212-8-Gehäusen erhältlich, die einen Wirkungsgrad bieten, der mit Gehäusen von einem Drittel der Größe vergleichbar ist. Zu den typischen Applikationen gehören Hochleistungs-DC/DC-Wandler, Synchrongleichrichtung, Mikro-Solarwechselrichter und Motorantriebsschalter.

SISH892BDN 100-V-n-Kanal-MOSFET

Der Vishay/Siliconix SISH892BDN 100-V-n-Kanal-MOSFET ist ein TrenchFET^®-Gen-IV-Leistungs-MOSFET, der zu 100 % R_g- und UIS-getestet ist. Der SISH892BDN MOSFET bietet 100 V V_DS, 20 A I_D und 8 nC Q_g. Der SISH892BDN MOSFET von Vishay/Siliconix ist in einem PowerPAK® 1212-8SH-Gehäuse erhältlich und verfügt über einen Sperrschicht- und Lagertemperaturbereich von -55 °C bis +150 °C.