Vishay / Siliconix SIHx5N80AE Leistungs-MOSFETs
Vishay/Siliconix SIHx5N80AE Leistungs-MOSFETs verfügen über eine niedrige Gütezahl, eine niedrige Effektivleistung und geringere Schalt- sowie Leitungsverluste. Die SIHx5N80AE Leistungs-MOSFETs von Vishay/Siliconix verfügen über eine Drain-Quellenspannung von 850 V und eignen sich hervorragend für Server- und Telekommunikations-Netzteile. Darüber hinaus nutzen die SIHx5N80AE MOSFETs eine extrem niedrige Gate-Ladung und einen integrierten Zener-Dioden-ESD-Schutz.
Merkmale
- Niedrige Gütezahl (FOM) Ron x Qg
- Niedrige Effektivleistung (Ciss)
- Reduzierte Schalt- und Leitungsverluste
- Sehr niedrige Gate-Ladung (Qg)
- UIS-bewertet (Avalanche Energy Rated)
- Integrierter Zener-Dioden-ESD-Schutz
Applikationen
- Server- und Telekommmunikations-Netzteile
- Schaltnetzteile (SNT)
- Stromversorgung mit Blindleistungskompensation (PFC)
- Beleuchtung
- Hochdruckentladung (HID)
- Vorschaltgeräte für Leuchtstoffröhren
- Industrie
- Schweißen
- Induktionserhitzer
- Motorantriebe
- Akkuladegeräte
- Erneuerbare Energie
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Verfügen über eine niedrige FOM, eine niedrige Betriebskapazität und geringere Schalt- sowie Leitungsverluste.
Gehäuseausführung
Veröffentlichungsdatum: 2021-02-05
| Aktualisiert: 2022-03-11