E-Baureihe MOSFETs der 4. Generation

Die 4. Gen. MOSFETs der E-Baureihe von Vishay Semiconductors sind MOSFETs mit niedriger Gütezahl (Figure-of-Merit, FOM) und E-Baureihen-Technologie. Die E-Baureihe MOSFETs der 4. Gen. verfügen über eine niedrige Betriebskapazität und geringere Schalt- und Leitungsverluste. Diese MOSFETs sind UIS-eingestuft (Avalanche Energy Rated). Die MOSFETs der 4. Gen. sind in TO-220AB-, PowerPAK®-SO-8L-, PowerPak®-8-x-8-, DPAK- (TO-252) und Thin-Lead-TO-220-FULLPAK-Gehäusen verfügbar. Zu den typischen Applikationen gehören Server- und Telekommunikations-Netzteile, Schaltnetzteile (SNT) und Blindleistungskompensations-Netzteile (PFC).

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
Vishay Semiconductors MOSFETs N-CHANNEL 600V
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 35 A 80 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 63 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs TO247 N CHAN 700V 47A
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3 439Auf Lager
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Si Through Hole TO-247AD-3 N-Channel 1 Channel 700 V 47 A 73 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 266 nC - 55 C + 175 C 500 W Enhancement TrenchFET Bulk
Vishay / Siliconix MOSFETs 600V Vds; +/-30V Vgs TO-220 FULLPAK
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 240 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 23 nC - 55 C + 150 C 31 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 180 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 33 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 180 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 33 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFETs PWRPK 600V 34A N-CH MOSFET
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: 2 000

Si SMD/SMT PowerPAK-10 1 Channel 600 V 34 A 59 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 41 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFETs PWRPK 600V 12A N-CH MOSFET
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: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK 8 x 8 - 8 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 208 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 23 nC - 55 C + 150 C 89 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix MOSFETs TO220 600V 40A N-CH MOSFET
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914Auf Lager
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 40 A 57 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 74 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs 600V DPAK (TO-252) N-CHANNEL
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2 111Auf Lager
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 6.4 A 700 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 8 nC - 55 C + 150 C 62.5 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs 600V Vds; +/-30V Vgs PowerPAK 8x8
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1 938Auf Lager
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: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-4 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 44 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
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929Auf Lager
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
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892Auf Lager
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 180 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 22 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFETs PWRPK 600V 29A N-CH MOSFET
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3 650Auf Lager
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: 2 000

Si SMD/SMT PowerPAK-10 1 Channel 600 V 29 A 70 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 41 nC - 55 C + 150 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFETs 600V Vds; +/-30V Vgs Thin-Lead TO-220
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360Auf Lager
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 100 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 50 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs TO220 600V 4.3A N-CH MOSFET
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1 539Auf Lager
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 4.3 A 600 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 8 nC - 55 C + 150 C 29 W Enhancement TrenchFET
Vishay / Siliconix MOSFETs 600V Vds; +/-30V Vgs TO-220AB
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588Auf Lager
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 240 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 23 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFETs N-CHANNEL 100 V
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2 899Auf Lager
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: 3 000

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 800 V 4.4 A 1.35 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 11 nC - 55 C + 150 C 62.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix MOSFETs N-CHANNEL 650V
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2 158Auf Lager
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Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 14 A 70 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 53 nC - 55 C + 150 C 39 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
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1 639Auf Lager
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: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-4 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 180 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 33 nC - 55 C + 150 C 114 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
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539Auf Lager
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Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 600 V 99 A 23 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 228 nC - 55 C + 150 C 524 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs 600V Vds; +/-30V Vgs PowerPAK SO-8L
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1 820Auf Lager
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: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 240 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 23 nC - 55 C + 150 C 89 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay MOSFETs N-CHANNEL 600V
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: 800

Si Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix MOSFETs E Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
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729Auf Lager
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Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 100 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 35 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
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Si SMD/SMT PowerPAK-4 N-Channel 1 Channel 600 V 34 A 68 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 80 nC - 55 C + 150 C 202 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFETs 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
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2 311Auf Lager
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 4.2 A 1.45 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 7.5 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement