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Vishay / Siliconix SiHP080N60E E-Baureihe Leistungs-MOSFETs

Vishay/Siliconix SiHP080N60E E-Baureihe Leistungs-MOSFETs bieten die E-Baureihentechnologie der 4. Generation in einem TO-220AB-Gehäuse. Die SiHP080N60E bieten eine niedrige Ron x Qg-Gütezahl (FOM) und eine niedrige effektive Kapazität (Co(er)). Die SiHP080N60E Leistungs-MOSFETs der E-Baureihe von Vishay/Siliconix sind für Server- und Telekommunikations-, SNT- und PFC-Netzteil-Applikationen ausgelegt.

Merkmale

  • E-Baureihen-Technologie der 4. Generation
  • Niedrige Ron x Qg-Gütezahl (FOM)
  • Niedrige Effektivleistung (Co(er))
  • Geringere Schalt- und Leitungsverluste
  • UIS-eingestuft (Avalanche Energy Rated)

Applikationen

  • Server- und Telekommmunikations-Netzteile
  • Schaltnetzteile (SNT)
  • Stromversorgung mit Blindleistungskompensation (PFC)
  • Beleuchtung
    • Hochdruckentladung (HID)
    • Vorschaltgeräte für Leuchtstoffröhren
  • Industrie
    • Schweißen
    • Induktionserhitzer
    • Motorantriebe
    • Akkuladegeräte
    • Solar (PV-Wechselrichter)

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Schaltplan

Applikations-Schaltungsdiagramm - Vishay / Siliconix SiHP080N60E E-Baureihe Leistungs-MOSFETs
Veröffentlichungsdatum: 2021-03-11 | Aktualisiert: 2022-03-11