Vishay / Siliconix SiHG080N60E E-Baureihe Leistungs-MOSFETs
Vishay/Silconix SiHG080N60E E-Baureihe Leistungs-MOSFETs verfügen über reduzierte Schalt- und Leitungsverluste unter Verwendung der E-Baureihentechnologie der 4. Generation. Die SiHG080N60E Leistungs-MOSFETs verfügen über eine Drain-Source-Spannung von 650 V und eine Gate-Ladung von insgesamt 63 nC in einem TO-247AC-Gehäuse. Die SiHG080N60E MOSFETs bieten eine niedrige Ron x Qg-Gütezahl (FOM) und eine niedrige effektive Kapazität (Co(er)).
Die SiHG080N60E Leistungs-MOSFETs der E-Baureihe von Vishay/Siliconix eignen sich hervorragend für Server-, Telekommunikations-, Schaltmodus(SNT)- und Blindleistungskompensations(PFC)-Netzteile.
Merkmale
- E-Baureihen-Technologie der 4. Generation
- Niedrige Ron x Qg-Gütezahl (FOM)
- Niedrige Effektivleistung (Co(er))
- Geringere Schalt- und Leitungsverluste
- UIS-eingestuft (Avalanche Energy Rated)
Applikationen
- Server- und Telekommmunikations-Netzteile
- Schaltnetzteile (SNT)
- Stromversorgung mit Blindleistungskompensation (PFC)
- Beleuchtung
- Hochdruckentladung (HID)
- Vorschaltgeräte für Leuchtstoffröhren
- Industrie
- Schweißen
- Induktionserhitzer
- Motorantriebe
- Akkuladegeräte
- Solar (PV-Wechselrichter)
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Verfügen über eine niedrige FOM, eine niedrige Betriebskapazität und geringere Schalt- sowie Leitungsverluste.
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Schaltplan
Veröffentlichungsdatum: 2021-03-10
| Aktualisiert: 2022-03-11