Vishay / Siliconix Vishay Siliconix SiA936EDJ Dual-n-Kanal-MOSFET
Der Vishay Siliconix SiA936EDJ Dual-n-Kanal-MOSFET wurde entworfen, um Platz zu sparen und die Energieeffizienz in tragbaren Elektronikgeräten zu erhöhen, und zwar mit dem branchenweit niedrigsten On-Widerstand für 20V- (12V VGS und 8V VGS) Geräte bei 4,5V und 2,5V Gate-Treibern in der 2mm x 2mm Grundfläche. Der SiA936EDJ ist für Last- und Ladeschalter, für DC-DC-Wandler und H-Brücken optimiert und bietet Batterieschutz für die Energieverwaltung in Smartphones, Tablet-PCs, mobilen Geräten, nicht-implantierbaren tragbaren Gesundheitsprodukten und Handheld-Unterhaltungselektronik mit kleinen bürstenlosen DC-optimierten Motoren. Für diese Anwendungen bietet der SiA936EDJ einen extrem niedrigen On-Widerstand von 34mO (4,5V), 37mO (3,7V) und 45mO (2,5V) und integrierten ESD-Schutz von 2000V. Sein On-Widerstand bei 2,5V ist 11,7% niedriger als das beste 8V VGS-Gerät im Wettbewerb - gleichzeitig bietet er höheres (G-S) Schutzband - und ist 15,1% niedriger als das entsprechende 12V VGS-Gerät im Wettbewerb. Der niedrigste On-Widerstand der Branche erlaubt es Designern geringere Spannungsabfälle in den Schaltkreisen zu erzielen sowie eine effizientere Nutzung der Energie und längere Akkulaufzeiten zu fördern. Durch die Integration von zwei MOSFETs in einem kompakten Gehäuse, vereinfacht das duale SiA936EDJ das Design, senkt die Gesamtbauteilanzahl und spart wichtige Leiterplattenfläche. Der Vishay Siliconix SiA936EDJ Dual-n-Kanal-MOSFET ist 100% Rg geprüft, halogenfrei gemäß der JEDEC JS709A Definition und der RoHS-Richtlinie 2011/65/EU.
The SiA906EDJ is optimized for load switches for portable applications and high-frequency DC/DC converters. For these applications, the SiA906EDJ offers extremely low on-resistance of 34mΩ (4.5V), 37mΩ (3.7V), and 45mΩ (2.5V), and built-in ESD protection of 2000V.
Its on-resistance at 2.5V is 11.7% lower than the closest competing 8V VGS device — while providing a higher (G-S) guard band — and 15.1% lower than the closest competing device with a 12V VGS.
The device's industry-low on-resistance allows designers to achieve lower voltage drops in their circuits and promote more efficient use of power and longer battery run times. By integrating two MOSFETs into one compact package, the dual Vishay Siliconix SiA906EDJ simplifies designs, lowers the overall component count, and saves critical PCB space.
Merkmale
- TrenchFET power MOSFET
- Thermally enhanced PowerPAK SC-70 package
- Small footprint area
- Low on-resistance
- 560V typical ESD protection
- 100% Rg tested
Applikationen
- Load switch for portable applications
- High-frequency DC/DC converter