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SIA906EDJ-T1-GE3

Name: Vishay SIA906EDJ-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 781-SIA906EDJ-GE3
Price: 0.75 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

781-SIA906EDJ-GE3

Herst.- Nr.:

SIA906EDJ-T1-GE3

Herst.:

Vishay Semiconductors

Beschreibung:

MOSFETs 20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

Datenblatt:

SIA906EDJ-T1-GE3 Datenblatt

ECAD Model:

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	0.753 CHF	0.75 CHF
	0.467 CHF	4.67 CHF
	0.303 CHF	30.30 CHF
	0.232 CHF	116.00 CHF
	0.209 CHF	209.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0.18 CHF	540.00 CHF
	0.166 CHF	996.00 CHF
	0.155 CHF	1 395.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SC-70-6
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	20 V
Id - Drain-Gleichstrom:	4.5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	46 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	600 mV
Qg - Gate-Ladung:	950 pC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	7.8 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	TrenchFET, PowerPAK
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay Semiconductors
Konfiguration:	Dual
Abfallzeit:	12 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	14 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	18 ns
Serie:	SIA
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	2 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	12 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	10 ns
Artikel # Aliases:	SIA906EDJ-GE3
Gewicht pro Stück:	28 mg

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Datenblatt

SIA906EDJ-T1-GE3 Datenblatt

Models

PCN

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Integrierte MOSFET-Lösungen

Die integrierten MOSFET-Lösungen von Vishay kombinieren Bauelemente in einem einzigen monolithischen Chip, um die Leistungsdichte zu erhöhen, den Wirkungsgrad zu steigern, das Design zu vereinfachen und die BOM-Kosten zu senken. Diese Einzel- und Multi-Chip-MOSFETs vereinen Funktionen wie Schottky-Dioden und ESD-Schutz. Sie zeichnen sich durch n- und p-Kanal-TrenchFET^®-Technologien mit niedrigem Einschaltwiderstand und niedrigem thermischen Widerstand aus.

Vishay Siliconix SiA936EDJ Dual-n-Kanal-MOSFET

Der Vishay Siliconix SiA936EDJ Dual-n-Kanal-MOSFET wurde entworfen, um Platz zu sparen und die Energieeffizienz in tragbaren Elektronikgeräten zu erhöhen, und zwar mit dem branchenweit niedrigsten On-Widerstand für 20V- (12V VGS und 8V VGS) Geräte bei 4,5V und 2,5V Gate-Treibern in der 2mm x 2mm Grundfläche. Der SiA936EDJ ist für Last- und Ladeschalter, für DC-DC-Wandler und H-Brücken optimiert und bietet Batterieschutz für die Energieverwaltung in Smartphones, Tablet-PCs, mobilen Geräten, nicht-implantierbaren tragbaren Gesundheitsprodukten und Handheld-Unterhaltungselektronik mit kleinen bürstenlosen DC-optimierten Motoren. Für diese Anwendungen bietet der SiA936EDJ einen extrem niedrigen On-Widerstand von 34mO (4,5V), 37mO (3,7V) und 45mO (2,5V) und integrierten ESD-Schutz von 2000V. Sein On-Widerstand bei 2,5V ist 11,7% niedriger als das beste 8V VGS-Gerät im Wettbewerb - gleichzeitig bietet er höheres (G-S) Schutzband - und ist 15,1% niedriger als das entsprechende 12V VGS-Gerät im Wettbewerb. Der niedrigste On-Widerstand der Branche erlaubt es Designern geringere Spannungsabfälle in den Schaltkreisen zu erzielen sowie eine effizientere Nutzung der Energie und längere Akkulaufzeiten zu fördern. Durch die Integration von zwei MOSFETs in einem kompakten Gehäuse, vereinfacht das duale SiA936EDJ das Design, senkt die Gesamtbauteilanzahl und spart wichtige Leiterplattenfläche. Der Vishay Siliconix SiA936EDJ Dual-n-Kanal-MOSFET ist 100% Rg geprüft, halogenfrei gemäß der JEDEC JS709A Definition und der RoHS-Richtlinie 2011/65/EU.
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