STMicroelectronics STGWA50IH65R 650 V Weichschaltender IHR IGBT
Der weichschaltende IHR IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) STGWA50IH65R mit 650 V von STMicroelectronics verwendet einen fortschrittlichen, proprietären Trench-Gate-Field-Stop-Aufbau mit einer monolithisch integrierten Body-Diode. Der STMicroelectronics STGWA50IH65R für Leitungs- sowie Schaltverluste optimiert und ermöglicht eine sanfte Kommutierung. Dieser IGBT mit langen Leitungen im TO-247-Gehäuse maximiert den Wirkungsgrad für resonante und weichschaltende Applikationen.
Merkmale
- Rückwärtsleitender 650 V, 50 A weichschaltender IGBT der IHR-Baureihe in einem TO-247-Gehäuse mit langen Leitungen
- Für sanfte Kommutierung ausgelegt
- +175 °C maximale Sperrschichttemperatur
- Typische Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung von 1,45 V bei einem Dauerkollektorstrom von 50 A
- Minimierter Nachlaufstrom
- Strikte Parameterverteilung
- Geringer thermischer Widerstand
- Monolithisch integrierte Diode mit niedrigem Spannungsabfall
- Positiver Temperaturkoeffizient der Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
- RoHS-konform
Applikationen
- Induktionskochfelder
- Resonanzwandler
- Mikrowellenherde
Technische Daten
- Maximale Kollektor-Emitter-Spannung von 650 V
- Maximaler Kollektordauerstrom
- 97 A at +25 °C
- 61 A at +100 °C
- Maximaler gepulster Kollektorstrom: 200 A
- ±20 V maximale Gate-Emitter-Spannung
- ±30 V maximale transiente Gate-Emitter-Spannung
- Maximale Dauerdurchlassstrom
- 86 A at +25 °C
- 52 A at +100 °C
- Maximaler gepulster Durchlassstrom: 200 A
- 306 W maximale Verlustleistung
- Statische Eigenschaften
- 650 V minimale Kollektor-Emitter-Durchschlagspannung
- 1,75 V maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
- 1,75 V maximale Vorwärtsanschaltspannung
- Gate-Schwellenspannungsbereich von 4,5 V bis 6,5 V
- Maximaler Kollektor-Reststrom von 25 µA
- Maximaler Gate-Emitter-Leckstrom von ±250 nA
- Typische dynamische Eigenschaften
- Eingangskapazität von 2949 pF
- Ausgangskapazität von 102 pF
- Rückübertragungskapazität von 80 pF
- 154 nC Gate-Gesamtladung
- 23 nC Gate-Emitter-Ladung
- 77 nC Gate-Kollektor-Ladung
- Typische IGBT-Schalteigenschaften
- Induktive Last
- 177 ns bis 208 ns Abschaltverzögerungszeit
- 38 ns bis 75 ns Stromabfallzeit
- 736 μJ bis 1070 μJ Ausschaltenergiebereich
- 474 μJ bis 236 μJ Abschaltenergie für eine gesperrte induktive Last
- Induktive Last
- -55 °C bis +175 °C Sperrschicht-Betriebstemperatur
- Thermischer Widerstand
- 0,49 °C/W IGBT-Sperrschicht-zu-Gehäuse
- 0,7 °C/W Dioden-Sperrschicht-zu-Gehäuse
- 50 °C/W Dioden-Sperrschicht-zu-Umgebung
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Veröffentlichungsdatum: 2026-05-08
| Aktualisiert: 2026-05-12