STGWA50IH65R

STMicroelectronics
511-STGWA50IH65R
STGWA50IH65R

Herst.:

Beschreibung:
IGBTs Reverse-conducting 650 V, 50 A, soft-switching IHR series IGBT in a TO-247 long leads package
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STMicroelectronics
Produktkategorie: IGBTs
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
650 V
1.75 V
20 V
97 A
306 W
- 55 C
+ 175 C
Tube
Marke: STMicroelectronics
Kriechstrom Gate-Emitter: 250 nA
Produkt-Typ: IGBTs
Verpackung ab Werk: 600
Unterkategorie: Transistors
Gewicht pro Stück: 6,153 g
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Datenblatt

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Konformitätscodes
USHTS:
8541290055
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Japan
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

STGWA50IH65R 650 V Weichschaltender IHR IGBT

Der weichschaltende IHR IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) STGWA50IH65R mit 650 V von STMicroelectronics verwendet einen fortschrittlichen, proprietären Trench-Gate-Field-Stop-Aufbau mit einer monolithisch integrierten Body-Diode. Der STMicroelectronics STGWA50IH65R für Leitungs- sowie Schaltverluste optimiert und ermöglicht eine sanfte Kommutierung. Dieser IGBT mit langen Leitungen im TO-247-Gehäuse maximiert den Wirkungsgrad für resonante und weichschaltende Applikationen.

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