STMicroelectronics SGT350R70GTK E-Mode PowerGaN TRANSISTOR
Der STMicroelectronics SGT350R70GTK E-Mode PowerGaN Transistor ist ein leistungsstarker PowerGaN-Anreicherungs-Transistor, der für eine effiziente Leistungsumwandlung in anspruchsvollen Applikationen optimiert ist. Mit einer Drain-Source-Nennspannung von 700 V und einem maximalen Einschaltwiderstand von 350 mΩ bietet der STMicroelectronics SGT350R70GTK aufgrund der Galliumnitrid(GaN)-Technologie geringe Leitungsverluste und schnelle Schaltfunktionen. Das in einem thermisch optimierten DPAK-Format untergebrachte Bauteil unterstützt eine hohe Strombelastbarkeit und eine verbesserte Wärmeableitung, geeignet für Designs mit hoher Leistungsdichte. Ein niedriger GATE-Ladung und Ausgangskapazität ermöglichen einen Hochfrequenzbetrieb, ideal für den Einsatz in Blindleistungskompensation (PFC), resonanten Wandlern und anderen fortschrittlichen Stromversorgungstopologien in den Bereichen Industrie, Telekommunikation und Unterhaltungselektronik
Merkmale
- Verbesserung Modus normalerweise aus TRANSISTOR
- Sehr hohe Schaltgeschwindigkeit
- Hohe Leistungsmanagement-Fähigkeit
- Extrem niedrige Kapazitäten
- Keine Sperrverzögerungsladung
- ESD-Schutz
- RoHS-konform
Applikationen
- Unterhaltungselektronik
- Industriesysteme
- Rechenzentren
- Adapter für Tablets, Notebooks und AIO
- USB Type-C® PD- Adapter und SchnellLadegeräte
- Resonanzwandler
- Blindleistungskompensation (PFC)-Stufen
Technische Daten
- 700 V maximale Drain-Source-Spannung
- 800 V maximale transiente Drain-Source-Spannung bei tp <>
- -1,4 V bis 7 V maximale Gate-Source-Spannung
- 6 A maximaler Dauersenkenstrom bei +25 °C
- 10 A maximaler Impuls-Drainstrom bei tp = 10μs
- 47 W maximale Verlustleistung bei +25 °C
- 2,6 V typische Source-Drain- Sperrspannung
- Schalt-
- 0,9 ns typische Einschaltverzögerungszeit
- 3,5 ns typische Anstiegszeit
- 1,2 ns typische Abschaltverzögerungszeit
- 6,1 ns typische Abfallzeit
- Statisch
- Höchster Ableitstrom Drain-Source: 12 μA
- Typischer Ableitstrom Gate-Source: 30 μA
- Schwellenspannungsbereich Gate: 1,2 V bis 2,5 V
- Maximale statische Drain-Source-Einschaltwiderstände: 350 mΩ
- ESD-Schutz nach Human Body Model (HBM): 2 kV
- Betriebstemperaturbereich der Verbindungsstelle -55 °C bis +150 °C
- Dynamik-
- 50 pF typische Eingangskapazität
- 15 pF typische Ausgangskapazität
- 0,2 pF typische Rückübertragungskapazität
- 20 pF typische äquivalente Ausgangskapazität, energiebezogen
- Typische äquivalente Ausgangskapazität von 28 pF, zeitabhängig
- 11 Ω typischer intrinsischer GATE-Widerstand
- 2,2 V typische GATE- Plateauspannung
- 1,5 nC typische gesamt GATE-elektrische Ladung
- 0.15nC typische Gate-Quelle elektrische Ladung
- Typische elektrische Ladung Gate-Drain: 0,5 nC
- Typische Sperrverzögerungsladung: 0 nC
- 13nC typische Ausgangsleistung
- Thermischer Widerstand
- Verbindungstemperaturfall Junction-to-Case: 2,63 °C/W
- Verbindungstemperaturfall Junction-to-Ambient: 56 °C/W
Schaltschema
Testschaltungen
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Veröffentlichungsdatum: 2025-10-20
| Aktualisiert: 2025-10-28