STMicroelectronics STL320N4LF8 N-Kanal STripFET F8 Leistungs-MOSFET
STMicroelectronics STL320N4LF8 N-Kanal STripFET F8 Leistungs-MOSFET wird mit STRipFET F8 Trench MOSFET Technologie hergestellt. Das Gerät ist vollständig für den industriellen Einsatz qualifiziert. Die STL320N4LF8 reduziert den On-Widerstand und die Schaltverluste und optimiert gleichzeitig die Eigenschaften der Body-Drain-Diode. Der MOSFET spart Energie und sorgt für ein geringes Rauschen in Schaltungen zur Leistungsumwandlung und Motorsteuerung.
Merkmale
- Hervorragende Weichheit der Body-Drain-Diode
- Geringe EMI-Rauschemissionen
- Niedrige Ausgangskapazität und geringer Serienwiderstand
- Geringe Spannungsspitzen für die Drain-Source-Spannung beim Ausschalten und kurze Oszillationszeit
- Niedrige Gate-Drain-Ladung
- Schnelle Abschaltung und geringe Schaltverluste
- Enge Streuung der Gate-Schwellenspannung
- Einfache Parallelschaltung
- Sehr hohe Strombelastbarkeit
- Hohe Kurzschlussfestigkeit
Applikationen
- Leistungsumwandlung
- Motorsteuerung
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Sie sind nach AEC-Q101 zugelassen und bieten eine umfassende Paketlösung von 30 V bis 150 V.
Veröffentlichungsdatum: 2022-06-17
| Aktualisiert: 2024-11-18