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STMicroelectronics STripFET F8 N-Kanal Leistungs-MOSFETs

Die N-Kanal-Leistungs-MOSFETs STripFET F8 von STMicroelectronics sind nach AEC-Q101 zugelassen und bieten eine umfassende Paketlösung von 30 V bis 150 V, um alle Anforderungen für Lösungen mit sehr hoher Leistungsdichte zu erfüllen. Diese Niederspannungs-MOSFETs verfügen über die STPOWER StripFET F8-Technologie. Die STripFET F8-Technologie spart Energie und sorgt für geringe Rauschentwicklung in Stromumwandlungs-, Motorsteuerungs- und Stromverteilungsschaltungen, indem sie sowohl den Durchlasswiderstand als auch die Schaltverluste reduziert und gleichzeitig die Eigenschaften der Body-Diode optimiert. Die N-Kanal-Leistungs-MOSFETs STripFET F8 von STMicroelectronics vereinfachen das Systemdesign und steigern die Effizienz in Anwendungen wie Fahrzeugtechnik, Computer/Peripheriegeräte, Rechenzentren, Telekommunikation, Solarenergie, Netzteile/Wandler, Batterieladegeräte, Haushalts-/Profigeräte, Gaming, Drohnen und mehr.

Merkmale

  • AEC-Q101 qualifiziert (Teile, die auf AG enden)
  • Sehr geringe Leitungsverluste mit erhöhtem Wirkungsgrad und kompakten Designs
  • Ausgeglichenheit der Body-Diode und geringe Gate-Drain-Ladung für hervorragendes Schaltverhalten
  • Enge Streuung der GATE-Schwellenspannung für einfachere Parallelschaltungen
  • Niedrige EMI-Emissionen
  • Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1
  • -55 °C bis +175 °C Betriebstemperaturbereich
  • 100 % Avalanche-getestet
  • Benetzbare Flanke, PowerFLAT 5 mm x 6 mm Gehäuse
  • Nachhaltige Technologie

Applikationen

  • STL160N10F8
    • Strom für Server und Telekommunikation
    • Industrielles Batteriemanagement-System (BMS)
    • Elektrowerkzeuge
    • Drohnen
  • STL170N4LF8 und STL300N4LF8
    • Industrielle Werkzeuge, Motorantriebe und Ausrüstungen
    • Industrielle Motorsteuerung
    • Netzteile und Wandler
  • STL175N4LF8AG, STL305N4LF8AG, STL165N4F8AG und STK615N4F8AG
    • Motorsteuerung im Automobilbereich
    • Karosserie und Komfort
    • Gehäuse und Sicherheit
    • ICE-Antriebsstrang
  • Schaltapplikationen für STL120N10F8, STL320N4LF8, STL325N4LF8AG und STL325N4LF8AG

Technische Daten

  • Maximale Drain-Source-Spannungsoptionen: 40 V oder 100 V
  • ±16 V oder ±20 V maximale Gate-Source-Spannungsoptionen
  • 304 A bis 1492 A maximaler Drainstrombereich
  • 111 W bis 188 W Verlustleistungsbereich insgesamt
  • Einzelimpuls-Avalanche
    • 60 A Strom
    • Energiebereich: 140 mJ bis 590 mJ
  • Dynamik-
    • 2.600 pF bis 7.657 pF Kapazitätseingangsbereich
    • Ausgangskapazitätsbereich: 680 pF bis 1968 pf
  • Ein/Aus-Zustände
    • 1 µA bis 100 µA null Gate-Spannung Drainstrom-Bereich
    • Gate-Body-Ableitstrom von 100 nA
    • 1,2 V bis 4 V maximaler Gate-Schwellenspannungsbereich
    • Maximaler statischer Drain-Source-on-Widerstand: 0,75 mΩ bis 4,6 mΩ

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Applikationsinfos

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Teilnummer Datenblatt Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Pd - Verlustleistung Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Qg - Gate-Ladung
STL325N4LF8AG STL325N4LF8AG Datenblatt
STL320N4LF8 STL320N4LF8 Datenblatt 40 V 360 A 800 uOhms 188 W - 20 V, 20 V 2 V 43 nC
STK615N4F8AG STK615N4F8AG Datenblatt
STL165N4F8AG STL165N4F8AG Datenblatt 40 V 154 A 2.6 mOhms 111 W - 20 V, 20 V 4 V 28 nC
STL300N4F8 STL300N4F8 Datenblatt 290 A 1.1 mOhms
STL165N10F8AG STL165N10F8AG Datenblatt 100 V 158 A 3.2 mOhms 167 W - 20 V, 20 V 4 V 90 nC
STL120N10F8 STL120N10F8 Datenblatt 100 V 125 A 4.6 mOhms 150 W - 20 V, 20 V 2 V 56 nC
STL160N10F8 STL160N10F8 Datenblatt 100 V 158 A 3.2 mOhms 167 W - 20 V, 20 V 4 V 90 nC
STL300N4LF8 STL300N4LF8 Datenblatt 40 V 304 A 1 mOhms 167 W - 20 V, 20 V 2 V 70 nC
STL325N4F8AG STL325N4F8AG Datenblatt 40 V 373 A 1.1 mOhms 188 W - 16 V, 16 V 2 V 95 nC
Veröffentlichungsdatum: 2024-05-21 | Aktualisiert: 2026-01-21