STMicroelectronics STGWT28IH125DF Trench-Gate-Field-Stop-IGBT
Die STGWT28IH125DF von STMicroelectronics sind IGBTs mit einer firmeneigenen, modernen Trench-Gate- und Field-Stop-Struktur konstruiert. Optimierte Leistung bei Leitungs- und Schaltverlusten. Eine Freilaufdiode mit einer geringen Durchlassspannung wird mitgeliefert. Das Ergebnis ist ein Produkt, das speziell entwickelt wurde, um den Wirkungsgrad für jede Resonanz- und Softschalt-Anwendung zu maximieren.
Merkmale
- Designed for soft commutation only
- +175°C maximum junction temperature
- Minimized tail current
- 2.0V (typ.) collector-emitter voltage @ IC= 25A
- Tight parameters distribution
- Safe paralleling
- Low VF soft recovery co-packaged diode
- Low thermal resistance
- Lead-free package
Applikationen
- Induction heating
- Microwave ovens
- Resonant converters
Schematic Diagram
Related Products
STMicroelectronics IGBT V Series
Developed using an advanced proprietary trench gate and field stop structure.
STMicroelectronics 650V HB-Serie Trench-Gate-Field-Stop-IGBTs
Stellt einen optimalen Kompromiss zwischen Leitungs- und Schaltverlusten dar, um den Wirkungsgrad eines Frequenzwandlers zu maximieren.
Veröffentlichungsdatum: 2015-02-03
| Aktualisiert: 2022-03-11