650V HB-Serie Trench-Gate-Field-Stop-IGBTs

STMicroelectronics 650V Trench-Gate-Field-Stop-IGBTs der HB-Serie sind IGBTs, bei deren Entwicklung eine erweiterte proprietäre Trench-Gate- und Field-Stop-Struktur verwendet wurde. Diese Geräte stellen einen optimalen Kompromiss zwischen Leitungs- und Schaltverlusten dar, um den Wirkungsgrad eines Frequenzwandlers zu maximieren. Mit der erweiterten Trench-Gate-Field-Stop-Hochgeschwindigkeitstechnologie von ST verfügen diese IGBTs über ein minimales Kollektorstrom-Abschaltungsende, sowie über eine sehr geringe Sättigungsspannung (Vce(sat)) hinunter bis zu 1,6V (Typ.), dies minimiert Energieverluste während des Schaltens und beim Einschalten. Außerdem führen ein leicht positiver VCE-Temperaturkoeffizient (sat) und eine äußerst geringe Parameterverteilung zu sichererem Parallelbetrieb.
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STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac
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SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PowerFLAT-5 N-Channel


STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac
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IGBT Transistors Si Through Hole
STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high-speed HB series IGBT
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IGBT Transistors Si SMD/SMT H2PAK-2
STMicroelectronics IGBTs 600V 40A trench gate field-stop IGBT
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gte FieldStop IGBT 650V 80A
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT in a D2PAK package
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Rolle: 1 000

IGBT Transistors Si SMD/SMT

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed
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IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT
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600erwartet ab 24.08.2026
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs 600V 60A trench gate field-stop IGBT
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1 106erwartet ab 17.02.2026
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed
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600erwartet ab 01.04.2026
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB series IGBT
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high-speed HB series IGBT
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P-3
STMicroelectronics IGBTs 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGBT
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics IGBTs Trench gate H series 650V 80A HiSpd
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P


STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-3PF
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pa
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42Auf Lager
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-4
STMicroelectronics IGBTs 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGB
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219Auf Lager
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics IGBTs 650V 40A Trench Gate Field-Stop IGBT
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600erwartet ab 10.02.2026
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs 650V 60A Trench Gate Field-Stop IGBT
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Vorlaufzeit 14 Wochen
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
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Vorlaufzeit 14 Wochen
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3