STMicroelectronics Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs

Die MOSFETs von STMicroelectronics (SiC) verfügen über einen sehr niedrigen RDS(on)-Bereich für eine Nennspannung von 1200 V kombiniert mit einem ausgezeichneten Schaltungsverhalten. Dadurch können effizientere und kompaktere System entwickelt werden. Sie verfügen über ein verbessertes Schaltungsverhalten und einer Betriebsfrequenz mit der niedrigsten Eoff im Vergleich zu Standard-Siliziumtechnologien. Dank der Eigenkörperdiode kann der Formfaktor verringert werden. Durch die maximale Sperrschichttemperatur bei 200 ºC wird ein höherer Systemwirkungsgrad und Zuverlässigkeit erreicht.

Merkmale

Leichte Abweichungen der Schaltungsverluste gegenüber Temperatur
Sehr hohe Betriebstemperaturleistung (200 °C)
Sehr schnelle und robuste Eigenkörperdiode

Niedrige Kapazität
Einfach zu betreiben

Applikationen

Solarwechselrichter, UPS
Motorantriebe

Hochspannungs-DC-DC-Wandler
Schaltnetzteile

SiC MOSFET Portfolio

ST’s STPOWER SiC MOSFET portfolio offers state-of-the-art packages (HiP247, H2PAK-7, TO-247 long leads, STPAK and HU3PAK) specifically designed for automotive and industrial applications.